[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在半导体衬底上边用绝缘膜隔离开来形成有第1导电类型的半导体层的器件衬底；

具有从上述半导体层的上表面开始一直到达上述绝缘膜的内部的深度，而且，在上述绝缘膜的上部，在把沟径形成为使得具有被扩大了的沟径扩大部分的沟的上述沟径扩大部分上，在与上述半导体层的下表面接连的状态下埋入进来的杂质扩散源；和

具有由源于杂质扩散源的向上述半导体层的下表面的杂质扩散形成的第2导电类型的第1扩散层、由向上述半导体层的上表面进行的杂质扩散形成的第2导电类型的第2扩散层、以及在上述杂质扩散源的上方的上述沟的侧面上中间存在着栅极绝缘膜地形成的栅极电极的晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

上述沟贯通上述绝缘膜在达到上述半导体衬底的内部的深度上形成，上述半导体器件还包括沟槽电容器，被形成为在上述绝缘膜的下部具有一直被埋入到上述沟的途中的储存电极，并与上述晶体管一起构成DRAM单元。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

在上述储存电极上部的上述沟径扩大部分上，在对于上述半导体层来说仅仅接连到其下表面上的状态下埋入形成作为上述杂质扩散源的埋入条带，该埋入条带用盖状绝缘膜覆盖起来，在该盖状绝缘膜上边埋入上述晶体管的栅极电极。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

上述埋入条带，由被埋入到上述储存电极上边的第1条带，和重叠到该第1带上形成，且在对于上述半导体层仅仅接连到其下表面上的状态下被埋入到上述沟径扩大部分内的第2条带构成。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

上述沟的沟径扩大部分，在遍及上述绝缘膜的厚度的整个范围内形成，上述电容器的储存电极一直被埋入到上述沟径扩大部分的途中，上述埋入条带在对于上述半导体层仅仅接连到其下表面上的状态下被埋入到上述储存电极上边。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体层，使得把2个DRAM单元配置在两个端部那样地，被在达到上述绝缘膜的深度上埋入形成的器件隔离绝缘膜划分成多个岛状器件区域，连接到上述晶体管的栅极电极上的字线被连续地配设在一个方向上，连接到上述晶体管的第2扩散层上的位线则与上述字线交叉地进行配设，构成DRAM单元阵列。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

上述位线，在与上述各个岛状器件区域的两个端部的字线相邻的位置上，在每一个DRAM单元内，都形成有用来与上述第2扩散层接触，而且横穿上述岛状器件区域的中央部分地与上述半导体层进行接触，以把固定电位提供给上述半导体层的体布线。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述半导体层，使得把2个DRAM单元配置在两个端部那样地，被在达不到上述绝缘膜的深度上埋入形成的器件隔离绝缘膜划分成多个岛状器件区域，连接到上述晶体管的栅极电极上的字线被连续地配设在一个方向上，连接到上述晶体管的第2扩散层上的位线则与上述字线交叉地进行配设，构成DRAM单元阵列。

9.一种半导体器件的制造方法，包括下述工序：

在半导体衬底上边用绝缘膜隔离开来形成有第1导电类型的半导体层的器件衬底上，形成贯通上述半导体层的沟的工序；

对在上述沟内露出来的上述绝缘膜进行选择刻蚀，形成使上述半导体层的下表面露出来的沟径扩大部分的工序；

在仅仅接连到上述半导体层的下表面上的状态下，在上述沟的沟径扩大部分上埋入形成杂质扩散源的工序；

中间存在着栅极绝缘膜地把栅极电极埋入形成在上述沟内的工序；和

在上述半导体层上，借助于来自上表面的杂质扩散和源于上述杂质扩散源的来自下表面的杂质扩散，形成源极和漏极扩散层的工序。