[发明专利]半导体存储器

摘要

本发明的课题是得到一种由电路结构不至复杂化却能减少软差错的存储单元所组成的半导体存储器。由NMOS晶体管N1和PMOS晶体管P1构成倒相器I1,由NMOS晶体管N2和PMOS晶体管P2构成倒相器I2,倒相器I1和I2彼此交叉连接。把NMOS晶体管N1在P阱区PWO内形成,把NMOS晶体管N2在P阱区PW1内形成。P阱区PWO和P阱区PW1夹着N阱区NW,各自在后者的两侧形成。

主权项

1.一种半导体存储器，其中的存储单元包括了两个互相交叉连接的第一和第二倒相器，其特征在于：第一导电类型被定义为第一类，第二导电类型被定义为第二类，上述第一倒相器由属于第一类的第一场效应晶体管和属于第二类的第一场效应晶体管构成，上述第二倒相器由属于第一类的第二场效应晶体管和属于第二类的第二场效应晶体管构成，上述属于第一类的第一和第二场效应晶体管分别在相互独立的属于第二类的第一和第二阱区形成。