[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，其中的存储单元包括了两个互相交叉连接的第一和第二倒相器，其特征在于：

第一导电类型被定义为第一类，第二导电类型被定义为第二类，

上述第一倒相器由属于第一类的第一场效应晶体管和属于第二类的第一场效应晶体管构成，

上述第二倒相器由属于第一类的第二场效应晶体管和属于第二类的第二场效应晶体管构成，

上述属于第一类的第一和第二场效应晶体管分别在相互独立的属于第二类的第一和第二阱区形成。

2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

上述第一倒相器的输出部分包括把上述属于第一类的第一场效应晶体管的一个电极与上述属于第二类的第一场效应晶体管的一个电极连接起来的连接部分，输入部分则包括把上述属于第一类的第一场效应晶体管的控制电极与上述属于第二类的第一场效应晶体管连接起来的连接部分；

上述第二倒相器的输出部分包括把上述属于第一类的第二场效应晶体管的一个电极与上述属于第二类的第二场效应晶体管的一个电极连接起来的连接部分，输入部分则包括把上述属于第一类的第二场效应晶体管的控制电极与上述属于第二类的第二场效应晶体管的控制电极连接起来的连接部分；

上述存储单元进一步包括：

属于第一类的第三场效应晶体管，它的一个电极接到与上述第一倒相器的输出部分和上述第二倒相器的输入部分进行电连接的第一存储端子，另一个电极接到第一位线，字线接到控制电极；

属于第一类的第四场效应晶体管，它的一个电极接到与上述第二倒相器的输出部分和上述第一倒相器的输入部分进行电连接的第二存储端子，另一个电极接到第二位线，字线接到控制电极；

上述属于第一类的第三和第四场效应晶体管分别在属于第二类的第二和第一阱区形成。

3.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于：

上述属于第一类的第一至第四场效应晶体管内的一个电极是相互独立形成的。

4.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于：

上述属于第一类的第一、第三场效应晶体管和上述属于第二类的第一场效应晶体管沿着上述字线的形成方向大致排列在一条直线上进行布局，

上述属于第一类的第二、第四场效应晶体管和上述属于第二类的第二场效应晶体管沿着上述字线的形成方向大致排列在一条直线上进行布局。

5.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于：

在布局上，使得上述属于第一类的第一和第二场效应晶体管相对于上述存储单元的中心点相互呈点对称排列。

6.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于：

在布局上，使得上述属于第一类的第三和第四场效应晶体管相对于上述存储单元的中心点相互呈点对称排列.

7.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于：

上述属于第一类的第一和第二场效应晶体管的控制电极的宽度，被设定为比上述属于第一类的第三和第四场效应晶体管的控制电极宽度要宽。

8.如权利要求1至7的任一项中所述的半导体存储器，其特征在于：

上述存储单元中进一步包括有：

插在上述第一倒相器的输入部分和上述第二存储端子之间的第一电阻元件，

插在上述第二倒相器的输入部分和上述第一存储端子之间的第二电阻元件。

9.如权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于，包括：

上述第一和第二电阻元件为采用电阻率比CoSi高的金属材料制成的高阻金属布线。

10.如权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于，包括：

上述第一和第二电阻元件为采用电阻率比CoSi高的多晶硅制成的高阻多晶硅布线。

11.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于：

上述属于第一类的第三和第四场效应晶体管的控制电极与上述字线共用一条多晶硅布线。

12.如权利要求2所述的半导体存储器，其特征在于：

上述字线包括相互独立的第一和第二字线，

上述属于第一类的第三场效应晶体管的控制电极被接到上述第一字线，

上述属于第一类的第四场效应晶体管的控制电极被接到上述第二字线。