[发明专利]制造半导体侧壁翼片的方法有效
| 申请号： | 01135799.1 | 申请日： | 2001-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1349249A | 公开（公告）日： | 2002-05-15 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·W·阿基森;保罗·D·阿格尼洛;阿恩·W·巴兰坦;拉马·迪瓦卡鲁尼;埃林·C·琼斯;爱德华·J·诺瓦克;杰德·H·兰金 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临,王志森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了通过形成外延生长沟道而制造一种双栅极硅绝缘体(SOI)MOSFET,该沟道伴随有镶嵌(damascene)栅极。该双栅极MOSFET以窄沟道为特征,该沟道增加了每布图宽度的电流驱动,并提供了低的外部电导率。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 侧壁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成场效应晶体管(FET)的方法，包括：提供基板；在基板上形成层，该层具有一侧面；在该侧面上形成外延沟道，该沟道具有第一侧壁；去除该层以暴露沟道的第二侧壁；形成与第一沟道端部联接的源极和漏极区；以及形成栅极，它邻近沟道的至少一个侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
