[发明专利]制造半导体侧壁翼片的方法

权利要求书

1.一种形成场效应晶体管(FET)的方法，包括：

提供基板；

在基板上形成层，该层具有一侧面；

在该侧面上形成外延沟道，该沟道具有第一侧壁；

去除该层以暴露沟道的第二侧壁；

形成与第一沟道端部联接的源极和漏极区；以及

形成栅极，它邻近沟道的至少一个侧壁。

2.一种场效应晶体管(FET)，包括：

基板；

基板内的源极区和漏极区，每个所述源极区和漏极区具有顶部、底部和至少两个侧扩散表面，源极和漏极区被外延生长的沟道区隔开，该外延生长的沟道区具有顶部、底部和与扩散表面的相应面大致共面的侧沟道表面；

栅极，它邻近顶部和侧沟道表面，且与顶部和侧沟道表面电绝缘；以及

包括平坦顶表面的栅极，该平坦顶表面具有用以接收用于控制场效应晶体管的栅控制电压的接触部。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，源极和漏极具有用以接收用于控制场效应晶体管的控制电压的接触部。

4.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，栅极位于所述栅极区和漏极区之间的中部，并大致与之平行。

5.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括接触所述栅极顶表面的硅化物层。

6.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括接触所述栅极的第一侧端部和第二侧端部的电介质层。

7.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，还包括接触沟道侧表面的电介质。

8.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，栅极包括多晶硅。

9.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，沟道大致为场效应晶体管长度的四分之一。

10.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，栅极中还包括用于将栅极电隔离成两个电绝缘部分的电介质材料，每个部分具有共面的顶表面和在每个各自共面的顶表面上的接触缓冲层。    

11.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述外延沟道由第IV族元素的组合物制造。

12.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述外延沟道由硅和第IV族元素的合金制造。

13.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述外延沟道由硅与锗和碳中的至少一个的合金制造。

14.一种形成双栅极场效应晶体管(FET)的方法，包括：

在基板上形成第一和第二外延生长沟道；

刻蚀硅层中的区域以形成源极和漏极，其中源极和漏极的一侧表面接触第一和第二外延生长沟道的相对端部表面；以及

形成栅极，它接触第一和第二外延生长沟道的顶表面和两个侧表面以及基板的顶表面。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述形成步骤包括：

形成第一和第二硅线，硅线的每个端部接触源极和漏极的一端；

在第一和第二硅线各自的被暴露的侧表面上形成刻蚀终止层；

在各刻蚀终止层上外延生长第一和第二硅层；

刻蚀掉第一和第二硅线及刻蚀终止层；

用氧化物填充物填充围绕第一和第二外延生长硅层的区域以及在源极和漏极之间的区域；

刻蚀氧化物填充物的一部分以形成定义栅极的区域，其中定义栅极的区域位于源极和漏极之间的中部并与之大致平行；以及

沉积材料以形成栅极。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括步骤：

刻蚀栅极和源极之间的氧化物填充物以显露第一和第二外延生长硅层；以及

刻蚀栅极和漏极之间的氧化物填充物以显露第一和第二外延生长硅层。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括在第一和第二外延生长硅层上形成氧化物的步骤。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，氧化物为二氧化硅。