[发明专利]净化室及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 01135040.7 | 申请日： | 2001-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1360178A | 公开（公告）日： | 2002-07-24 |
| 发明（设计）人： | 松浦崇泰;中濑春雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | F24F7/06 | 分类号： | F24F7/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种净化室10由第1净化区10a和第2净化区10b构成,在第1净化区内放置片盒14,片盒14收纳将投入半导体制造装置13的半导体衬底,操作人员16在第2净化区10b内进行操作。在第1净化区10a和第2净化区10b之间设置板状的隔板11,在第1净化区10a内从上方流向下方的第1气流的速度大于在第2净化区10b内从上方流向下方的第2气流的速度。减少在放置了半导体衬底的区域内所存在的浮动粒子数。 | ||
| 搜索关键词： | 净化 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种净化室，具备第1净化区与第2净化区，第2净化区设在与第1净化区邻接的地方；第1净化区放置投入制造装置的半导体衬底；操作人员在第2净化区；其特征在于：从上方流向下方的第1气流被导入所述第1净化区；从上方流向下方的第2气流被导入所述第2净化区；所述第1气流的速度大于所述第2气流的速度。
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