[发明专利]净化室及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种净化室，具备第1净化区与第2净化区，第2净化区设在与第1净化区邻接的地方；第1净化区放置投入制造装置的半导体衬底；操作人员在第2净化区；其特征在于：

从上方流向下方的第1气流被导入所述第1净化区；

从上方流向下方的第2气流被导入所述第2净化区；

所述第1气流的速度大于所述第2气流的速度。

2.根据权利要求1所述的净化室，其特征在于：

在所述第1净化区与所述第2净化区之间设有将所述第1气流和所述第2气流间隔开的间隔物。

3.根据权利要求2所述的净化室，其特征在于：

送入所述第1气流的第1气流送气口对第1净化区的面积比大于送入所述第2气流的第2气流送气口对第2净化区的面积比。

4.根据权利要求2所述的净化室，其特征在于：

所述间隔物是具有上部开口部及下部开口部的四面结构，

所述上部开口部的面积大于下部开口部的面积。

5.根据权利要求1、2或3所述的净化室，其特征在于：

所述第1气流的速度大于所述第2气流速度的1.3倍。

6.根据权利要求2或3所述的净化室，其特征在于：

所述间隔物的下端位于从地板起1.2～1.8m的位置。

7.根据权利要求2或3所述的净化室，其特征在于：

所述间隔物由透明材料构成。

8.一种半导体装置的制造方法，是在具有第1净化区与第2净化区的净化室中，第1净化区内放置着投入制造装置的半导体衬底，第2净化区设在与第1净化区邻接的区域，操作人员在第2净化区内，通过所述操作人员的操作将半导体衬底投入到所述制造装置中的工程，其特征在于：

将从上流向下方的第1气流导入所述第1净化区；

将从上流向下方的第2气流导入所述第2净化区；

所述第1气流的速度大于所述第2气流的速度。

9.根据权利要求8所述的半导体装置制造方法，其特征在于：

所述第1气流的速度大于所述第2气流速度的1.3倍。