[发明专利]净化室及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及净化室的结构及半导体装置的制造方法。

背景技术

在净化室中处理半导体晶片制造半导体装置的区域中，由于存在的浮动粒子一附着在半导体晶片上，就使次品数增加，因此，在半导体装置的制造方法中，减少浮动粒子就成为重要的课题。

为此，在净化室中，从外部供给的空气要通过过滤器后再被导入，同时，导入空气的气流都设定为从上到下的流向。

但是，随着制作更复杂的集成电路半导体装置越来越小型化，这就要求在净化室中除去更微细的浮动粒子、更进一步减少浮动粒子的数目。

为此，就要求(1)增加净化室中去除粒子过滤器的数目。(2)使用更高性能的粒子过滤器、以便能够去除更微细的浮动粒子。

但是，采用(1)及(2)的方法，都需要建设新净化室，或者将设有净化室的建筑物进行改造，需要投入巨大资金，这是一个大问题。

再则，随着净化室内去除粒子过滤器数目的增加，气流的压损就增加，在气流压损增加的状态下，为得到规定的气流速度，必须采用容量更大的高性能鼓风机，这样就产生了净化室运转费用增加的问题。

发明内容

有鉴于前述问题，本发明的目的是减少在放置半导体衬底的区域内存在的浮动粒子，提高半导体制造工程中工程间的成品率。

本申请专利的发明人，着眼于净化室内的气流，就减少浮动粒子数的方法进行检讨的结果，发现气流的速度与方向影响浮动粒子的增减，并与工程间的成品率密切相关。

本发明就是基于上述见解，具体内容如下：

本发明的净化室，它具有第1净化区域和第2净化区域、第1净化区域和第2净化区域相邻设置，第1净化区域放置投入制造装置的半导体衬底，第2净化区域配备有操作人员，其特征是，第1净化区域导入从上到下的第1气流，第2净化区域导入从上到下的第2气流，而且第1气流的速度大于第2气流的速度。

采用本发明的净化室，由于导入到放置了半导体衬底的第1净化区域的第1气流的速度比导入配备有操作人员的第2净化区域的第2气流的速度大，因此，存在于放置半导体衬底区域的浮动粒子移动到净化室地板附近后，被排除到净化室的外部，这样就减少了附着在半导体衬底表面的粒子数。

在本发明的净化室中，第1气流的速度最好为第2气流速度的1.3倍以上。

这样做的结果使放置半导体衬底的区域内存在的浮动粒子数目明显减少。

本发明的净化室最好具备设在第1净化区域和第2净化区域之间、将第1气流与第2气流隔开的隔离物。

这样做的结果，第1气流很难受到第2气流的影响、第1气流的速度比第2气流的速度进一步加大，在放置了半导体衬底区域内存在的浮动粒子数进一步减少，由此，附着在半导体衬底表面上的浮动粒子数也进一步减少。

在具备本发明的净化室间隔物的情况下，最好，送入第1气流的第1气流送气口对第1净化区域的面积比大于送入第2气流的第2气流送气口对第2净化区域的面积比。

这样一来，即使将外部空气供给第1气流送气口的鼓风机的送风能力与将外部空气供给第2气流送气口的鼓风机的送风能力相等、第1气流的速度也能够大于第2气流的速度。也就是说，不用更换导管、鼓风机等供给净化室外部空气的设备，第1气流的速度也可以比第2气流的速度大，这样，净化室不用太大改造也可以减少浮动粒子的数目。

采用本发明的净化室具有间隔物的情况下，该间隔物是具有上部开口部及下部开口部的四面结构物，上部开口部的面积最好比下部开口部的面积大。

这样作的结果，由于第1气流更难受到第2气流的影响，第1气流的速度比第2气流的速度进一步加大，在放置半导体衬底的区域内存在的浮动粒子数进一步减少。

采用本发明的净化室具备间隔物的情况下，该间隔物的下端最好位于地板上1.2～1.8m的位置。

这样作的结果，丝毫无损减少浮动粒子数的效果，但可确保操作人员操作制造装置或半导体衬底时的作业性。

采用本发明的净化室具备间隔物的情况下，该间隔物最好由透明材料构成。

这样以来，可以确保操作人员操作制造装置或半导体衬底的作业性。

本发明的半导体装置制造方法是，净化室具有第1净化区域和第2净化区域，第1净化区域放置投入制造装置的半导体衬底，第2净化区域配备有操作人员，第2净化区域与第1净化区域相邻设置，其特征是，该方法以具备由操作人员操作将半导体衬底投入制造装置工程的半导体装置制造方法为对象，在第1净化区域第1气流从上到下导入，在第2净化区域第2气流从上到下导入，第1气流的速度大于第2气流的速度。