[发明专利]一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件有效
申请号: | 01133803.2 | 申请日: | 2001-12-20 |
公开(公告)号: | CN1360344A | 公开(公告)日: | 2002-07-24 |
发明(设计)人: | 高桥典之;铃木雅之;土屋孝司;松浦隆男;桥爪孝则;一谷昌弘;铃木一成;西田隆文;井村健一;三轮孝志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社;日立米沢电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/78;H01L21/56;H01L23/12;H01L23/28 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 多个半导体芯片安装其上的条状衬底的背面被真空吸附于一模具的下半模具上,在这种状态,多个半导体芯片与树脂同时被密封形成一密封体。其后,条状衬底和密封体从模具中被释放出,并被切成多个半导体器件。从而获得的半导体器件在其安装可靠性上被改进。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.半导体器件的制造方法,包含步骤:(a)安装多个半导体芯片于第一衬底的第一表面上;(b)将在其上安装了多个半导体芯片的第一衬底放入一模具中,以便背对第一表面的第一衬底的第二表面面朝模具的下半模具,并且以便第一表面上的多个半导体芯片被容纳进模具的一个空洞;(c)用树脂将多个半导体芯片密封成块以形成密封体,同时在模具的上半模具和第一衬底的第一表面间插入一薄膜。(d)使用该薄膜从模具中释放出密封体;并且,(e)把第一衬底和密封体切成各单一半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造