[发明专利]一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，包含步骤：

(a)安装多个半导体芯片于第一衬底的第一表面上；

(b)将在其上安装了多个半导体芯片的第一衬底放入一模具中，以便背对第一表面的第一衬底的第二表面面朝模具的下半模具，并且以便第一表面上的多个半导体芯片被容纳进模具的一个空洞；

(c)用树脂将多个半导体芯片密封成块以形成密封体，同时在模具的上半模具和第一衬底的第一表面间插入一薄膜。

(d)使用该薄膜从模具中释放出密封体；并且，

(e)把第一衬底和密封体切成各单一半导体器件。

2.根据权利要求1的方法，其中，在用树脂密封步骤中，薄膜被真空吸附，并且第一衬底的第二表面被真空吸附于模具的下半模具上。

3.根据权利要求1的方法，其中，在其上形成了一组半导体器件形成区的第一区域和处于第一区域外的第二区域同时被布置在第一衬底的第一和第二表面，并且加固图形被形成于第二区域中。

4.根据权利要求3的方法，其中加固图形被形成和布置为分离图形。

5.根据权利要求4的方法，其中分离的加固图形被分别布置于半导体器件形成区。

6.根据权利要求3至5的任何方法，其中，在加固图形中有一预定的加固图形，具有能沿第一和第二表面延展和收缩的图形结构。

7.根据权利要求6的方法，其中预定的加固图形包含彼此分离的多个第一图形，第一图形在其横向上彼此相邻以及其在纵向彼此错开。

8.根据权利要求6的方法，其中预定加固图形包含片状图形。

9.根据权利要求1的方法，其中在第一衬底的第一和第二表面上布置用于走线的导线图形和伪导线图形，伪导线图形布置在布置了用于走线的导线图形外的其它区域。

10.根据权利要求9的方法，其中伪导线图形被以分离模式布置。

11.根据权利要求9的方法，其中伪导线图形被布置于形成在第一和第二表面中一面或两面上的多个半导体器件形成区的每一个的中心。

12.根据权利要求9的方法，其中导线图形被布置于第一和第二表面来使其彼此接近。

13.根据权利要求1的方法，其中覆盖第一衬底的第一和第二表面的绝缘膜也被提供于无任何用于走线的导线图形的区域。

14.根据权利要求13的方法，其中绝缘膜被形成于第一和第二表面的每一个，以便覆盖于第一和第二表面的绝缘膜相互接近。

15.根据权利要求1的方法，其中同时延伸穿透第一和第二表面的孔被形成于第一衬底上的多个半导体器件形成区的每一个上。一阻挡区被提供于形成于第一表面上的孔的周围，通过除去部分绝缘膜来形成阻挡区。

16.半导体器件的制造方法，包含步骤：

(a)安装多个半导体芯片于第一衬底的第一表面上；

(b)将在其上安装了多个半导体芯片的第一衬底放入一个模具中，以便背对第一表面的第一衬底的第二表面面朝模具的下半模具；

(c)用树脂将多个半导体芯片密封成块以形成密封体，同时让第一衬底的第二表面真空吸附于模具的下半模具上，并且；

(d)切割第一衬底和密封体，并取出各单个半导体器件。

17.根据权利要求16的方法，在步骤(b)之后和步骤(c)之前包含一把第一衬底加热一预定时间的步骤。

18.根据权利要求16的方法，在步骤(c)之后和步骤(d)之前，再包含一步骤，同时分别键合多个块至多个用于走线的导线图形上，用于走线的导电图形形成在布置于第一衬底的第二表面上的多个半导体器件形成区内。

19.根据权利要求16的方法，其中，在其上形成了一组半导体器件形成区的第一区域和处于第一区域外的第二区域被布置在第一衬底的第一和第二表面的每一个上，并且加固图形被形成于第二区域。

20.根据权利要求19的方法，其中加固图形被形成和布置为分离图形。

21.根据权利要求20的方法，其中分离的加固图形被分别布置于半导体器件形成区。