[发明专利]一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件有效

专利信息
申请号: 01133803.2 申请日: 2001-12-20
公开(公告)号: CN1360344A 公开(公告)日: 2002-07-24
发明(设计)人: 高桥典之;铃木雅之;土屋孝司;松浦隆男;桥爪孝则;一谷昌弘;铃木一成;西田隆文;井村健一;三轮孝志 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社;日立米沢电子株式会社
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/78;H01L21/56;H01L23/12;H01L23/28
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体器件制备方法和一种半导体技术。特别是,本发明着眼于在具有小尺寸封装结构的半导体器件中有效应用的一种技术。

背景技术

CSP(芯片尺寸封装)或类似结构具有一几乎等于或稍微大于芯片尺寸的外部封装尺寸,相对于裸片,它允许高密度封装,而且生产成本很低。由于这些优点,在诸如便携信息设备,数码相机和笔记本个人电脑的小尺寸、轻型电子设备领域中,对CSP的需要不断增加。

与CSP连接时,许多封装形式是可用的。但通常采用球栅阵列(BGA)结构,其中,焊接块连到半导体芯片附着的封装衬底的一侧上,并被回流焊接到印刷线路板的表面上。特别是,在薄膜多脚CSP情形,一个TCP(带载封装)型BGA(带型BGA)是最流行的,其中半导体芯片附着的封装衬底是由如聚酰亚胺带的绝缘带构成的。对于把绝缘带用作封装衬底的TCP,例如,在日本已公布的未审查专利申请No Hei7(1995)-321248中被公开。

发明内容

但是,本发明者发现把绝缘带用作封装衬底时,在上述CSP技术中涉及以下问题。

问题是,对于高可靠性要求的产品,应用CSP技术有困难。例如,这是因为在把绝缘带用作封装衬底的CSP结构中,不可避免的要求封装后,温度循环性被设得低于用户要求,这可能归因于封装衬底物质是聚酰亚胺,从而使得不可能进一步提高可靠性。

第二个问题是,这种半导体器件的制备成本很高。例如,这是因为用作封装物质的聚酰亚胺很贵。另一个原因是把绝缘带用作封装衬底的CSP加工中,每个半导体芯片被封装,并且因而每单位面积上的产品数目小,从而导致基本的单位价格高。

相关于本发明,本发明者从模具角度研究了已有技术。结果,例如在日本已公布的未审查专利申请No.Hei 10(1998)-256286中,发现公布了一种技术,其中,一层覆盖层被形成于模具的内表面而使模具容易释放,在日本已公布的未审查专利申请No.Hei 10(1998)-244556中公布了一种进行树脂封装的技术,用于在释放膜和模具内表面紧密接触的状态中,加快从模具中除去树脂封装体。在日本已公布的未审查专利申请No.Hei 11(1999)-16930中公布了一使用疏散薄片来防止在使用薄片合模时薄片褶皱。在日本已公布的未审查专利申请No.2000-12578中,公布了一种当在一个衬底上放置大量芯片时,执行移动合模的技术。另外,在日本已公布未审查专利申请No.2000-138246中公布了一种为许多模块逐一连上一个排出引脚的高灵活性模具。

本发明的一个目的在于提供一种能提高半导体器件可靠性的技术。

本发明的另一目的在于提供一种能降低半导体器件成本的技术。

下面的描述和附图使上述的和其它的目的以及本发明的新特点变得明了。

从这里公布的发明中,下面将对典型发明作概述。

根据本发明,其第一表面上放置了多个半导体芯片的第一衬底被放在一个模具中,一层薄膜被插入模具的上半部和第一衬底的第一表面之间,然后这层膜被真空压于上模具,在这个状态中,多个半导体芯片与树脂密封在一起形成一密封体,然后通过使用薄膜从模具中一道释放出的第一衬底和这个封装体被切成许多半导体。

根据本发明,其第一表面上放置了许多半导体芯片的第一衬底被放于一个模具中,位于第一衬底的第一表面背部的第二表面被真空压于模具的下半部,然后在这个状态中,多个半导体芯片与树脂封装在一起形成一密封体,然后从模具中释放出的第一衬底和密封体被切成许多半导体器件。

根据本发明,被放置于第一衬底的第一主表面上的多个半导体器件具有一个强抗热应力的结构,被封装在一起形成一封装体,然后封装体从使用的模具中释放出,其后,从模具中一起释放出来的第一衬底和封装体被切成许多半导体器件。

根据本发明,上述第一衬底主要由一与放于第一衬底上的第二衬底所使用的相同类型的绝缘物质所构成。

根据本发明,上述第一衬底主要由一与放于第一衬底上的第二衬底所使用的相同热膨胀系数的绝缘物质所构成。

根据本发明,上述第一和第二衬底主要由基于玻璃态环氧树脂绝缘物质所构成。

附图说明

图.1是采用本发明的半导体器件的透视图。

图.2是沿图.1中线A1-A1的截面图。

图.3(a)是制备图.1所示半导体器件的制备工艺中使用的条状衬底的主表面平面图,而图.3(b)是图.3(a)背面的平面视图。

图.4是沿图.3(a)中线A2-A2的截面图。

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