[发明专利]一种闪存的结构有效
| 申请号： | 01129532.5 | 申请日： | 2001-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1393936A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 谢荣裕;林经祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种闪存的结构，其结构包括一层穿隧氧化层、一个浮置栅极、一层介电叠层、一个控制栅极和一个源极/漏极区，其中介电叠层是由一层第一氧化层、一层高介电常数材质的介电层与一层第二氧化层依次堆栈而成，且配置在浮置栅极与控制栅极之间；而浮置栅极配置在穿隧氧化层上；控制栅极配置在介电叠层上；源极/漏极区配置在浮置栅极两侧的基底中。采用本发明可以降低操作闪存所需施加的电压值，进而减少能源损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 结构 | ||
【主权项】：
1、一种闪存的结构，包括：一层穿隧氧化层，其位于一基底上；一个浮置栅极，其位于该穿隧氧化层上；一层氧化层，其位于浮置栅极上；一个控制栅极，配置该氧化层上；以及一个源/漏极区，其位于该浮置栅极两侧的基底内，其特征是：该氧化层为介电叠层，该介电叠层包括一层第一氧化层，其位于浮置栅极上；一层高介电常数介电层，其位于第一氧化层上；一层第二氧化层，其位于高介电常数介电层上。
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