[发明专利]一种闪存的结构有效
| 申请号： | 01129532.5 | 申请日： | 2001-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1393936A | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 谢荣裕;林经祥 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 结构 | ||
1、一种闪存的结构，包括：一层穿隧氧化层，其位于一基底上；一个浮置栅极，其位于该穿隧氧化层上；一层氧化层，其位于浮置栅极上；一个控制栅极，配置该氧化层上；以及一个源/漏极区，其位于该浮置栅极两侧的基底内，其特征是：该氧化层为介电叠层，该介电叠层包括一层第一氧化层，其位于浮置栅极上；一层高介电常数介电层，其位于第一氧化层上；一层第二氧化层，其位于高介电常数介电层上。
2、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的带隙值小于氧化硅的带隙值。
3、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的介电常数大于8。
4、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的材质是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的族群以及上述物质组成的混合物的族群其中之一。
5、根据权利要求1所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的堆栈层族群其中之一。
6、一种闪存的结构，包括：一层穿隧氧化层，其位于一基底上；一个浮置栅极，其位于该穿隧氧化层上；一层氧化层，其位于浮置栅极上；一个控制栅极，配置该氧化层上；以及一个源/漏极区，其位于该浮置栅极两侧的基底内，其特征是：该氧化层为介电叠层，该介电叠层包括一层第一氧化层，其位于浮置栅极上；一层高介电常数介电层，其位于第一氧化层上。
7、根据权利要求6所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的带隙值不小于氧化硅的带隙值。
8、根据权利要求6所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层的材质是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的族群以及上述物质组成的混合物的族群其中之一。
9、根据权利要求6所述的闪存的结构，其特征是：该高介电常数介电层是选自于氧化铝、氧化钇、锆氧化硅、铪氧化硅、三氧化二镧、二氧化锆、二氧化铪、五氧化二钽、氧化镨与二氧化钛所组成的堆栈层族群其中之一。
10、一种闪存的结构，包括：一层穿隧氧化层，其位于一基底上；一个浮置栅极，其位于该穿隧氧化层上；一层氧化层，其位于浮置栅极上；一个控制栅极，配置该氧化层上；以及一个源/漏极区，其位于该浮置栅极两侧的基底内，其特征是：该氧化层为一层氧化铝介电层，其位于该浮置栅极上。
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