[发明专利]半导体组件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 01125051.8 申请日: 2001-07-30
公开(公告)号: CN1400660A 公开(公告)日: 2003-03-05
发明(设计)人: 大内勉;纸崎文昭 申请(专利权)人: 艺术电子有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L21/50
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 方晓虹
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体组件及其制造方法,是使形成双面镀铜底板(1)两面之间的导通路用的通路孔(3)为半导体组件(2)的布线图案之间所共有,且将其开孔做成长孔状,沿着将该通路孔(3)对半切开的线切分后制造出半导体组件。其通路孔是在将镀铜层(10)进行腐蚀处理形成开口后,对该开口位置的底板材料(11)进行激光加工处理,形成圆形开孔,通过连续形成多个圆形开孔而形成长孔状。本发明可在通路孔共用化、且一并用树脂密封形成的半导体组件上提高通路孔导通部的可靠性,并提高半导体组件的产品合格率。
搜索关键词: 半导体 组件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体组件,其特征在于,是在双面镀铜底板(1)的两面之间将多个半导体组件(2)的布线图案排列成行列状,使形成所述底板(1)两面之间的导通路用的通路孔(3)为各个单位的半导体组件(2)的布线图案之间所共有,且将其开孔做成长孔状,在该布线图案的规定位置上安装半导体芯片(20)并布线后将该底板(1)整体用树脂密封,沿着将该通路孔(3)对半切开的线切分后制造出来。
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