[发明专利]半导体组件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 01125051.8 申请日: 2001-07-30
公开(公告)号: CN1400660A 公开(公告)日: 2003-03-05
发明(设计)人: 大内勉;纸崎文昭 申请(专利权)人: 艺术电子有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L21/50
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 方晓虹
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 组件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及在双面镀铜底板上将多个半导体组件的布线图案排成行列状、在规定位置上安装半导体芯片后将整个底板用树脂密封、然后切分制造半导体组件的技术领域,尤其涉及在双面镀铜底板上在半导体组件的端部配置将两面之间导通用的通路孔(ビアホ-ル)、并沿对半切开通路孔的线切分后制造出的半导体组件及其制造方法。

背景技术

以往的一并用树脂密封成形后制造的半导体组件(以下称“组件”)是在双面镀铜底板(以下称“底板”)上设置不贯通底板的通路孔或贯通底板的通路孔,以便将和配置在上面的半导体芯片等作线连接的内部端子与为了表面安装而配设在底板下面的外部端子进行电气连接。

而上述的通路孔是用于将多层底板内特定的2层之间进行连接的非贯通开孔,如果是4层以上的多层底板,则也称为内通路孔(インナ-ビア)。另外,与贯通孔相比,其机械强度高,且在树脂密封工序中可省略防止树脂材料进入贯通孔的工序。

而且将上述通路孔等配置在组件的外周端部,以使相邻的组件之间能够共用该通路孔,且在切分树脂密封体时沿对半切开通路孔等的线来进行切分,以减少底板对组件的占有比例。

关于上述通路孔的形成方法,如特开平10-294400所公开的,有的是用电镀层等导体将在底板上配置形成的贯通孔堵塞,还有的是将单面的镀铜层用腐蚀法腐蚀成圆形后,以保留反面镀铜层的形式照射激光,以除去底板材料(环氧树脂、玻璃环氧树脂等),然后对经过加工的内周面进行导通处理。

然而,上述特开平10-294400公开的封闭贯通孔的方法需要特殊技术来保证封闭过程中的机械强度等,导致制造成本上升。

近年来,在4、6、8层以上的所谓多层底板在采用在底板叠层时形成内通路孔的所谓装配法。

另外,采用从镀铜层的一面形成通路孔的方法时,首先要通过腐蚀处理将表层的镀铜层腐蚀成圆形后,照射激光以除去底板材料,且为了保留反面镀铜层而进行输出调节处理,故其步骤设定复杂微妙,且其截面形状不是完全的圆柱形,如图5(A)所示,会在周边部残留处理屑D的残渣和未削除部。结果,在对此通路孔的内部镀层以使之导通时,如图5(B)所示,不但不能有足够的接触部分使镀层与反面的镀铜层导通,而且在该接触部分会存在界面E,在将通路孔对半切开时或有外部冲击时,如图5(C)所示,接触部分会发生剥离,导致导通不良。

发明内容

本发明正是为了解决上述问题,目的在于提供一种半导体组件及其制造方法,是在双面镀铜底板的通路孔通用化且进行总体树脂密封成形的半导体组件及其制造方法中,用通路孔可靠地形成两面之间的导通路,同时在将通路孔对半切开时,导通部的接触部分不会剥离,可靠性好、产品合格率高。

为了实现上述目的,本发明的半导体组件及其制造方法如下构成。

本发明的半导体组件是在双面镀铜底板1的两面之间将多个半导体组件2的布线图案排成行列状,且使形成前述底板1两面之间的导通路用的通路孔3为各个单位的半导体组件2的布线图案所共有,且将其开孔做成长孔状,在该布线图案的规定位置上安装半导体芯片20并布线后将该底板1整体用树脂密封,并沿着将该通路孔3对半切开的线上切分后制造出来的。

本发明的半导体组件的制造方法是使形成双面镀铜底板1两面之间的导通路用的通路孔3为各个单位的半导体组件2的布线图案所共有,将多个半导体组件2的布线图案排列成行列状,并在规定位置上安装半导体芯片20后将该底板1整体用树脂密封,然后沿着将前述通路孔3对半切开的线切分制造出半导体组件2,其特点是,将前述通路孔3做成长孔形状。

另外,也可以在将双面镀铜底板1的一面镀铜层10的规定位置用腐蚀处理开孔后,通过激光加工处理将该开孔位置的底板材料11削除以形成圆形开孔31,并通过连续地形成多个圆形开孔31而形成长孔状的开孔。

还可以在树脂密封工序中在阴模40与树脂密封用的树脂25a之间夹入氟树脂薄膜40d。

上述附图标记是为了便于理解本发明而附加的,不言而喻,本发明不限于附图所示的形态。

附图说明

图1是表示本实施形态的半导体组件外观的立体图。

图2是本实施形态的配置有通路孔的底板的外观图。

图3是表示本实施形态的通路孔形成顺序的剖视图。

图4是表示本实施形态的树脂密封工序(A)、树脂密封工序的局部放大(B)及切断工序(C)的剖视图。

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