[发明专利]半导体组件及其制造方法无效
| 申请号： | 01125051.8 | 申请日： | 2001-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1400660A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 大内勉;纸崎文昭 | 申请（专利权）人： | 艺术电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 方晓虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体组件，其特征在于，
是在双面镀铜底板(1)的两面之间将多个半导体组件(2)的布线图案排列成行列状，
使形成所述底板(1)两面之间的导通路用的通路孔(3)为各个单位的半导体组件(2)的布线图案之间所共有，且将其开孔做成长孔状，
在该布线图案的规定位置上安装半导体芯片(20)并布线后将该底板(1)整体用树脂密封，
沿着将该通路孔(3)对半切开的线切分后制造出来。
2.一种半导体组件的制造方法，是使形成双面镀铜底板(1)两面之间的导通路用的通路孔(3)为各个单位的半导体组件(2)的布线图案之间所共有，将多个半导体组件(2)的布线图案排列成行列状，并在规定位置上安装半导体芯片(20)后将该底板(1)整体用树脂密封，然后沿着将前述通路孔(3)对半切开的线切分制造出半导体组件(2)，
其特征在于，将前述通路孔(3)做成长孔形状。
3.一种半导体组件的制造方法，其特征在于，在形成通路孔(3)的过程中，
是在将双面镀铜底板(1)的一面镀铜层(10)的规定位置用腐蚀处理开孔后，通过激光加工处理将该开孔位置的底板材料(11)削除以形成圆形开孔(31)，并通过连续地形成多个圆形开孔(31)而形成长孔状的开孔。
4.根据权利要求2或3所述的半导体组件的制造方法，其特征在于，在树脂密封工序中，在阴模(40)与树脂密封用的树脂(25a)之间夹入氟树脂薄膜(40d)。
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