[发明专利]使用连续淀积技术淀积难熔金属层的方法与装置无效

专利信息
申请号: 01121274.8 申请日: 2001-06-14
公开(公告)号: CN1332267A 公开(公告)日: 2002-01-23
发明(设计)人: 席明;A·辛哈;M·克里;A·W·马克;潘容苏;雷春来;钟华;卢新良;赖康;K·A·立陶 申请(专利权)人: 应用材料有限公司
主分类号: C23C16/06 分类号: C23C16/06;C23C16/44
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 龙传红
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 形成难熔金属层的方法和系统,其特征在于通过连续淀积技术对衬底成核,在该连续淀积技术中,衬底依次暴露于第一和第二反应气体中,随之形成层,通过气相淀积,对成核层进行化合物的大块淀积,该化合物包含于第一和第二反应气体中。所有的处理步骤可以在相同或者不同的处理室内进行。例如,成核可以在不同于进行大块淀积的处理室的处理室内进行。还公开了用于控制所得到的层中的氟原子的存在的技术,该氟原子的存在在成核的过程中为所用载体气体的函数。
搜索关键词: 使用 连续 技术 淀积难熔 金属 方法 装置
【主权项】:
1.一种在置于处理室内的衬底上形成层的方法,该方法包含:通过依次将所述衬底暴露于第一和第二反应气体中以形成成核层;通过气相淀积对所述成核层进行化合物的大块淀积,在所述成核层上形成大块淀积物层,该化合物包含于所述第一和第二反应气体其中之一。
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