[发明专利]使用连续淀积技术淀积难熔金属层的方法与装置

权利要求书

1.一种在置于处理室内的衬底上形成层的方法，该方法包含：

通过依次将所述衬底暴露于第一和第二反应气体中以形成成核层；

通过气相淀积对所述成核层进行化合物的大块淀积，在所述成核层上形成大块淀积物层，该化合物包含于所述第一和第二反应气体其中之一。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述成核层和形成所述大块淀积物层在同一个处理室内进行。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含：提供第一和第二处理室，在形成所述成核层前将所述衬底置于所述第一处理室内，在形成所述大块淀积物层前将所述衬底置于所述第二处理室里，其中，形成所述成核层发生于所述第一处理室内并且形成所述大块淀积物层发生于所述第二处理室内。

4.如权利要求1所述的方法，其中，第二反应气体具有与其相关的氟原子，第一和第二反应气体各自与载体气体一起被引入所述处理室内，并且进一步包含控制所述成核层中氟原子的量，该氟原子的量为所述载体气体的函数。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在所述成核层上形成大块淀积物层包含使用化学气相淀积形成所述大块淀积物层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，在所述成核层上形成大块淀积物层包含使用物理气相淀积形成所述大块淀积物层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成成核层进一步包含将所述第一和第二气体引入其中，以在将所述衬底暴露于所述第二反应气体前，通过在其中引入清洗气体清空所述处理室中的所述第一反应气体。

8.如权利要求1所述的方法，其中，形成成核层进一步包含，在引入所述第二反应气体前，通过抽空所述处理室中的所有气体清空所述处理室中的所述第一反应气体。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成成核层进一步包含，在将所述衬底暴露于所述第二反应气体前，通过引入清洗气体继而抽空所述处理室里的所有气体，清空所述处理室中的所述第一反应气体。

10.如权利要求1所述的方法，其中，形成成核层包括形成包含含有氢的化合物和难熔金属的交替叠层。

11.一种对于衬底的处理系统，所述系统包含：

限定处理室的装置；

支撑部件，该支撑部件置于所述处理室里，用以支撑所述衬底；

与所述处理室保持流体联系的气体传输系统；

与所述处理室保持热联系的温度控制系统；

与所述处理室保持流体联系的压力控制系统；

与所述气体传输系统、所述温度控制系统和所述压力控制系统保持电子联系的控制器；

与所述控制器保持数据联系的存贮器，所述存贮器包含其中录入有计算机可读程序的计算机可读介质，所述计算机可读程序包含第一批指令，该指令用以控制所述气体传输系统，以通过依次将所述衬底暴露于第一和第二反应气体中而形成成核层；以及第二批指令，该指令用以控制所述气体传输系统，以通过对所述成核层进行化合物的气相淀积，在所述成核层上形成大块淀积物层，该化合物包含于所述第一和第二反应气体中之一。

12.如权利要求11所述的处理系统，进一步包含：界定附加处理室的附加装置；附加支撑部件，该附加支撑部件置于所述第二处理室里以支撑所述衬底；与所述第二处理室保持热联系的附加温度控制系统；与所述第二处理室保持流体联系的附加压力控制系统；置于所述第一处理室和所述附加处理室之间的自动操作装置，所述气体传输系统与所述附加处理室保持流体联系，并且所述控制器与所述附加温度控制系统、所述压力控制系统和所述自动操作装置保持电子联系；所述第一批指令进一步包含第一子程序，该第一子程序用以控制所述气体传输系统，以在所述衬底在所述处理室内时形成所述成核层，且所述第二批指令包含第二子程序，该第二子程序用以控制所述自动操作装置，以在所述处理室和所述附加处理室之间移动衬底，并且控制所述气体传输系统，以在所述衬底置于所述第二处理室里时形成所述大块淀积物层。