[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 01117046.8 | 申请日： | 2001-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1317834A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 西部荣次;菊地修一;丸山孝男 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种为了达到高耐压化和低导通电阻化的半导体装置，具有在半导体衬底101上使栅极绝缘膜108介于中间而形成的栅电极109；邻接于该栅电极109形成的LP层105(P型体区)；在该LP层105内形成的N型源区110及沟道区112；在离开上述LP层105的位置上形成的N型漏区111；以及包围该漏区111而形成的LN层104(漂移区)，其特征是上述LP层105在从上述栅电极109下的有源区到上述漏区111侧形成，而且从该漏区111到上述有源区形成了SLN层106。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有：在半导体衬底上使栅极绝缘膜介于中间而形成的栅电极；邻接于该栅电极而形成的第1导电型体区；在该第1导电型体区内形成的第2导电型源区及沟道区；在离开上述第1导电型体区的位置上形成的第2导电型漏区；以及包围该漏区而形成的第2导电型漂移区，其特征是：上述第1导电型体区从上述栅电极下的有源区延伸形成到上述漏区侧，而且从该漏区到上述有源区的附近形成第2导电型的杂质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01117046.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜电极及利用其制造的表面声波器件
- 下一篇：半导体光学设备组件
- 同类专利
- 专利分类
