[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体装置，具有：在半导体衬底上使栅极绝缘膜介于中间而形成的栅电极；邻接于该栅电极而形成的第1导电型体区；在该第1导电型体区内形成的第2导电型源区及沟道区；在离开上述第1导电型体区的位置上形成的第2导电型漏区；以及包围该漏区而形成的第2导电型漂移区，

其特征是：上述第1导电型体区从上述栅电极下的有源区延伸形成到上述漏区侧，而且从该漏区到上述有源区的附近形成第2导电型的杂质层。

2、权利要求1记载的半导体装置，其特征是：上述第2导电型杂质层浓度，比上述第2导电型漂移区浓度高，但比上述第2导电型漏区浓度低。

3、权利要求2记载的半导体装置，其特征是：上述栅极绝缘膜由第1绝缘膜和比上述第1绝缘膜厚的选择氧化膜构成的第2绝缘膜组成，上述栅电极被形成为从上述第1绝缘膜上跨越到上述第2绝缘膜上，上述第2导电型杂质层被设置成与上述第2绝缘膜的底面连接。

4、权利要求2记载的半导体装置，其特征是：上述栅极绝缘膜由第1绝缘膜和比上述第1绝缘膜厚的选择氧化膜构成的第2绝缘膜组成，上述栅电极被形成为从上述第1绝缘膜上跨越到上述第2绝缘膜上，上述第2导电型杂质层被设置成复盖上述第2绝缘膜的底面。

5、权利要求4记载的半导体装置，其特征是：上述第2导电型杂质层被设置成复盖上述第2绝缘膜的全部底面。

6、权利要求5记载的半导体装置，其特征是：上述第2导电型杂质层被形成为从上述第1导电型体区开始中止于上述栅极绝缘膜边缘的源侧。

7、一种半导体装置的制造方法，其特征是具有：

在第1导电地导体衬底内注入第2导电型杂质离子形成第2导电型阱区的工序；

在上述第2导电型阱区内分别注入并扩散第1导电型杂质和第2导电型杂质离子，通过使其扩散形成有一定间隔的低浓度第1导电型杂质层和低浓度第2导电型杂质层的工序；

从上述低浓度第2导电型杂质层到上述低浓度第1导电型杂质层的一部分，形成注入了第2导电型杂质的离子的离子注入层的工序；

在对上述衬底上的某区进行选择氧化形成LOCOS氧化膜的同时，形成上述离子注入层被扩散而形成的中等浓度的第2导电型杂质层的工序；

在上述LOCOS氧化膜以外的区上形成栅极绝缘膜，以从该栅极绝缘膜跨越上述LOCOS氧化膜上的方式形成栅电极的工序；以及

以在上述低浓度第1导电型杂质层内形成的源形成区上和上述低浓度第2导电型杂质层内形成的漏形成区上具有开口的抗蚀剂膜为掩模注入第2导电型杂质，形成高浓度源·漏区的工序。

8、一种半导体装置，具有：在半导体衬底上形成的第1绝缘膜；膜厚比第1绝缘膜厚的第2绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成而且以跨越第2绝缘膜上一部分的方式形成的栅电极；以及由邻接于上述栅电极的方式在衬底表层中形成的低浓度及高浓度的杂质区构成的LDD构造的源·漏区，

其特征是：上述低浓度源·漏区由在从上述第2绝缘膜的端部后退的衬底表面位置上形成的第1杂质区以及邻接于上述第1绝缘膜和第2绝缘膜的边界线附近形成的、比上述第1杂质区浓度低的第2杂质区构成。

9、权利要求8记载的半导体装置，其特征是：在上述第2绝缘膜下方形成的上述第2杂质区与上述第1杂质区比较，形成得较浅。

10、一种半导体装置的制造方法，其特征是具有：

在半导体衬底表层以第1抗蚀剂膜为掩模注入第1杂质的离子的工序；

以第2抗蚀剂膜为掩模在衬底表层注入第2杂质的离子的工序；

在上述衬底上形成有开口的耐氧化性膜以后，以该耐氧化性膜为掩模使衬底表面热氧化，在该衬底上形成选择氧化膜的工序；

使衬底表面热氧化，在上述选择氧化膜以外的衬底区形成栅极氧化膜的工序；

在全面地形成导电膜以后，使该导电膜形成图案，以从上述栅极氧化膜跨越上述选择氧化膜的一部分的方式形成栅电极的工序；

以上述选择氧化膜和栅电极为掩模，在衬底表层中注入第3杂质的离子的工序；以及

进行退火处理，使在上述衬底表层注入的上述第1、第2和第3杂质的离子扩散，形成具有第1、第2杂质浓度分布的低浓度源·漏区以及具有第3杂质浓度分布的高浓度源·漏区的工序。