[发明专利]低压模式且经通道擦写的快闪存储单元及其制作方法

摘要

一种低电压模式且经通道擦写的快闪存储单元及其制作方法,包括一N型基底,基底上设一深P型井,深P型井上堆叠一N型井;N型井内布植有深P型布植区及浅P型布植区,深P型布植区与浅P型布植区相连,深P型布植区内还布植有N型布植区,与深P型布植区连接,浅P型布植区一侧也布植有N型布植区;该三重井结构在操作时可分别施加同电压到深P型井与N型井,使漏电流降至最低,抵消端点电压,降低线路复杂度,提高操作效率。

主权项

1、一种低压模式且经通道擦写的快闪存储单元的制作方法，其特征在于：其包括如下步骤：a、在一N型基底内离子布植一深P型井层；b、在该深P型井层内离子布植一N型井层；c、在该N型井层表面离子布植一浅P型布植区；d、在该浅P型布植区上生长一通道氧化层，并沉积一多晶硅层；e、蚀刻该通道氧化层及该多晶硅层；f、在该蚀刻後的通道氧化层及多晶硅层上蚀设一氧化膜-氮化硅膜-氧化膜(0NO)层；g、在该氧化膜-氮化硅膜-氧化膜层上沉积一多晶硅层；h、蚀刻该通道氧化层上各生长层及沉积层，形成一矩形堆叠层，该矩形堆叠层两侧为裸露的通道氧化层区块；i、进行氧化，在该矩形堆叠层与该N型井表面间形成一微笑形氧化层；j、在该矩形堆叠层的一侧离子布植一深P型布植区，并设在该N型井层内；k、于该N型井层内离子布植一个以上N型布植区，其位于该矩形堆叠层的两侧。