[发明专利]低压模式且经通道擦写的快闪存储单元及其制作方法

权利要求书

1、一种低压模式且经通道擦写的快闪存储单元的制作方法，其特征在于：其包括如下步骤：

a、在一N型基底内离子布植一深P型井层；

b、在该深P型井层内离子布植一N型井层；

c、在该N型井层表面离子布植一浅P型布植区；

d、在该浅P型布植区上生长一通道氧化层，并沉积一多晶硅层；

e、蚀刻该通道氧化层及该多晶硅层；

f、在该蚀刻後的通道氧化层及多晶硅层上蚀设一氧化膜-氮化硅膜-氧化膜(0NO)层；

g、在该氧化膜-氮化硅膜-氧化膜层上沉积一多晶硅层；

h、蚀刻该通道氧化层上各生长层及沉积层，形成一矩形堆叠层，该矩形堆叠层两侧为裸露的通道氧化层区块；

i、进行氧化，在该矩形堆叠层与该N型井表面间形成一微笑形氧化层；

j、在该矩形堆叠层的一侧离子布植一深P型布植区，并设在该N型井层内；

k、于该N型井层内离子布植一个以上N型布植区，其位于该矩形堆叠层的两侧。

2、如权利要求1所述的低压模式且经通道擦写的快闪存储单元的制作方法，其特征在于：所述的深P型布植区位与该浅P型布植区一侧相接，且该深P型布植区的布植深度大于该浅P型布植区。

3、如权利要求1所述的低压模式且经通道擦写的快闪存储单元的制作方法，其特征在于：所述的N型布植区位于该深P型布植区内。

4、如权利要求1所述的低压模式且经通道擦写的快闪存储单元的制作方法，其特征在于：它还包括下列步骤：

1、沉积一多晶硅层，覆盖在该矩形堆叠层及其两侧；

m、蚀刻位于该矩形堆叠层一侧的多品硅层部分，形成一通道，使该布植

有深P型布植区及一N型布植区的N型井层部份裸露；

n、在该多晶砂层的被蚀刻通道接设一金属接片，其与该布植有深P型布

植区及N型布植区的一N型井层部份相接。

5、如权利要求1所述的低压模式且经通道擦写的快闪存储单元的制作方法，其特征在于：所述的P型半导体及N型半导体材质可互为更换。

6、一种低压模式且经通道擦写的快闪存储单元，其特征在于：其包括有：

一N型基底；

一形成在该基底上的深P型井；

一形成在该深P型井上、且在该N型井内适当位置布植有一深P型布植区及一浅P型布植区的N型井；

一设在该N型井上的堆叠闸极。

7、如权利要求6所述的快闪存储单元，其特征在于：该N型井内与堆叠闸之间还包括有一氧化层。

8、如权利要求7所述的快闪存储单元，其特征在于：堆叠闸与氧化层间蚀设有微笑型图案。

9、如权利要求6所述的快闪存储单元，其特征在于：该N型井内的该深P型布植区内还布植有一N型布植区，其为漏极区。

10、如权利要求6所述的快闪存储单元，其特征在于：该N型井内的该深P型布植区的布植深度大于该浅P型布植区。

11、如权利要求6所述的快闪存储单元，其特征在于：该N型井内的该深P型布植区与该浅P型布植区的一端设有相连接的部分。

12、如权利要求6所述的快闪存储单元，其特征在于：在该N型井内浅P型布植区的另一侧，还设有一N型布植区，其为源极区。

13、如权利要求6所述的快闪存储单元，其特征在于：该深P型布植区布植的N型布植区与该深P型布植区之间具有电气连接。

14、如权利要求13所述的快闪存储单元，其特征在于：该电气连接为一贯穿该深P型布植区布植的N型布植区与该深P型布植区接面的金属接触。

15、如权利要求13所述的快闪存储单元，其特征在于：该电气连接为用一金属接触将暴露出的该深P型布植区布植的N型布植区与该深P型布植区的连接。

16、如权利要求6所述的快闪存储单元，其特征在于：所述的P型半导体及N型半导体材质可互为更换。