[发明专利]母液选择沉淀法制备集成电路无效
申请号: | 00807853.X | 申请日: | 2000-04-28 |
公开(公告)号: | CN1351761A | 公开(公告)日: | 2002-05-29 |
发明(设计)人: | 林信一郎;拉里·D·麦克米伦;卡洛斯·A·帕斯德阿劳约 | 申请(专利权)人: | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在制备集成电路的过程中,在具有第一表面和第二表面的基板上涂敷母液,并处理该液体以选择性地形成固体薄膜。所述第一表面与第二表面有不同的物理性质,使得在第一表面上形成固体薄膜,而在第二表面上不形成薄膜。在形成固体薄膜后,洗涤该基板,以从基板的第二表面上除去残留的液体。 | ||
搜索关键词: | 母液 选择 沉淀 法制 集成电路 | ||
【主权项】:
1、一种在集成电路(10)中制备固体薄膜(14)的方法,其步骤包括:提供一个具有第一基板表面(4)和第二基板表面(6)的基板,所说的第一基板表面(4)至少有一种物理性质与所说的第二基板表面(6)的相应的物理性质不同;采用液体沉淀方法在所说的基板(8)上涂敷母液,以便在所说的基板(8)上形成涂层(11、13);以及处理所说的基板(8)上的涂层(11、13);其特征在于:选择一种母液以及母液的沉淀方法,使得采用所说的液体沉淀方法,将所说的母液涂敷在所说的第一基板表面(4)和第2二基板表面(6)上;处理所说的母液,在所说的第一基板表面(4)上形成所说的固体薄膜(14),同时,处理所说的母液,在所说的第二基板表面(6)上不形成所说的固体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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