[发明专利]母液选择沉淀法制备集成电路

权利要求书

1、一种在集成电路(10)中制备固体薄膜(14)的方法，其步骤包括：提供一个具有第一基板表面(4)和第二基板表面(6)的基板，所说的第一基板表面(4)至少有一种物理性质与所说的第二基板表面(6)的相应的物理性质不同；采用液体沉淀方法在所说的基板(8)上涂敷母液，以便在所说的基板(8)上形成涂层(11、13)；以及处理所说的基板(8)上的涂层(11、13)；其特征在于：选择一种母液以及母液的沉淀方法，使得采用所说的液体沉淀方法，将所说的母液涂敷在所说的第一基板表面(4)和第2二基板表面(6)上；处理所说的母液，在所说的第一基板表面(4)上形成所说的固体薄膜(14)，同时，处理所说的母液，在所说的第二基板表面(6)上不形成所说的固体薄膜。

2、一种在集成电路(10)中制备固体薄膜(14)的方法，其步骤包括：在单一基板(8)上提供有第一基板表面(4)和第二基板表面(6)；使用液体沉淀方法将母液涂敷到所说的基板(8)上，在所说的基板(8)上形成涂层(11、13)；以及处理所说基板(8)上的涂层(11、13)；其特征在于：所说的提供有第一基板表面的步骤包括提供一个基板表面(4)，在该基板表面(4)上，在所说的第一基板表面涂敷母液并处理所说的母液后，有形成固体薄膜的倾向；以及所说的提供第二基板表面(6)的步骤包括提供一个基板表面(6)，在该基板表面(6)上，在所说的第二基板表面(6)上涂敷母液并处理所说的母液后，没有形成固体薄膜的倾向。

3、一种在集成电路(10)中制备固体薄膜(14)的方法，其步骤包括：在单一基板(8)上提供有第一基板表面(4)和第二基板表面(6)；使用液体沉淀方法将母液涂敷到所说的基板(8)上，在所说的基板(8)上形成涂层(11、13)；以及处理所说基板(8)上的涂层(11、13)；其特征在于：所说的提供有第一基板表面的步骤包括提供一个具有湿润部分的基板表面(4)；所说的提供第二基板表面(6)的步骤包括提供一个具有不湿润部分的基板表面；而所说的涂敷步骤包括涂敷一种母液，所说的液体涂层的表面张力适于湿润所说的第一基板表面(4)，但不适于湿润所说的第二基板表面(6)。

4、一种如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于：还包括清洁所说基板(8)的步骤，该步骤能从所说的第二基板表面(6)上除去残渣，而不会除去所说的第一基板表面(4)上的所说的固体薄膜(14)。

5、一种如权利要求4所述的方法，其特征在于：所说的清洁步骤包括清洗所说的基板(8)。

6、一种如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于：所说的母液包括一种选自于HMDS和二恶烷中的溶剂。

7、一种如权利要求1、2或3所描述的方法，其特征在于：所说的母液沉淀方法选自于旋转涂层和喷雾沉淀。

8、一种如权利要求7所述的方法，其特征是：所说的母液沉淀方法为喷雾沉淀方法，在该方法中使用如此范围的喷雾沉淀的液滴大小，使之易于黏附在所说的第一基板表面(4)上，而不容易黏附在所说的第二基板表面(6)。

9、一种如权利要求7所述的方法，其特征在于：所说的母液沉淀方法为喷雾沉淀方法，该沉淀方法使用的沉淀速率将在所说的第一基板表面(4)上形成一种固体薄膜(14)，而不在所说的第二基板表面(6)上形成这种固体薄膜。

10、一种如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于：所说的第一基板表面(4)包括导体材料，所说的第二基板表面(6)包括绝缘材料。

11、一种如权利要求10所述的方法，其特征在于：所说的导体材料选自于铂、铱、钌、钯、钨、钛化钨、金属硅化物、氮化钽、氮化铝钛以及氮化钛。

12、一种如权利要求10所述的方法，其特征在于：所说的绝缘材料选自于氧化硅、氮化硅、氧氮化硅以及氧氟化硅。

13、一种如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于：所说的第一基板表面(4)包括具有拉伸应力的材料，所说的第二基板表面(6)包括具有压缩应力的材料。

14、一种如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于：所说的处理步骤选自于如下处理过程：真空处理、紫外线辐射处理、电场处理、干燥、加热、焙干、快速热处理以及退火处理。