[发明专利]母液选择沉淀法制备集成电路无效
申请号: | 00807853.X | 申请日: | 2000-04-28 |
公开(公告)号: | CN1351761A | 公开(公告)日: | 2002-05-29 |
发明(设计)人: | 林信一郎;拉里·D·麦克米伦;卡洛斯·A·帕斯德阿劳约 | 申请(专利权)人: | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 母液 选择 沉淀 法制 集成电路 | ||
发明背景
1.发明的领域
本发明涉及集成电路的制备方法,更具体地讲,本发明涉及一种在制备集成电路过程中,于非均匀性质的表面上选择性沉淀母液(precursorliquid)以改进所形成固体薄膜的方法。
2.以前存在的问题
集成电路制备过程必须包括许多步骤,其中各材料层经顺序沉淀、构成图形并蚀刻后,形成集成电路的各部分。
集成电路制备过程中伴随的一个问题是这种薄膜一旦形成后,通常必须采用复杂的多步骤过程构成图形并蚀刻,构成图形和蚀刻过程是耗时、费钱的过程;而且,经常不能准确控制某些层的蚀刻,导致集成电路的损坏和成品率的降低。
3.问题的解决
本发明采用在集成电路基板(integrated circuit substrate)上选择性沉淀形成固体薄膜的方法,解决了在构成图形和蚀刻过程中伴随的许多问题。根据本发明的方法,仅在基板上所选择的部分上形成固体薄膜。这样,不必在非选择的部分上构成图形并蚀刻除去不需要的薄膜。
仅在基板上所选择的部分选择性形成固体薄膜,而在基板的其它部分不形成薄膜。所选择的基板部分至少有一种物理性质不同于其它的部分,并且在具有这种选择性物理性质的基板部分上选择性沉积形成薄膜,而在不具有这种不同物理性质的基板部分上将不形成薄膜。
在一优选的实施方案中,本发明的方法包括:提供一种具有如此基板表面的基板,该基板表面具有第一基板表面和第二基板表面;提供一种母液,该母液可涂在基板表面上形成液体涂层,而所形成的液体涂层具有的表面张力适于湿润第一表面,而不适于湿润第二表面;将该母液涂于基板表面上形成液体涂层;处理在基板表面上的液体涂层,在第一基板表面上形成固体薄膜。
本发明提供了在集成电路中制备固体薄膜的方法,其步骤包括:提供一种具有第一基板表面和第二基板表面的基板,其第一基板表面至少有一种物理性质是与第二基板表面相应物理性质不同;选择一种母液和母液沉淀方法,所选的母液沉淀方法可将母液涂敷在第一和第二基板表面上,当处理该母液时,在第一基板表面上形成固体薄膜,而在第二基板表面上不形成固体薄膜;采用所选的母液沉淀方法将母液涂在基板上,形成涂敷的基板;并处理基板上的涂层,在第一基板表面上形成固体薄膜。本发明方法优选地进一步包括清洁基板的步骤,即从第二基板表面上除去残留物,而不除去第一基板表面上的固体薄膜。优选的清洁步骤包括清洗上述基板的步骤。优选的选择母液的步骤是选择更容易湿润第一基板表面而较难湿润第二表面的母液。优选地,选择母液的步骤包括从HMDS和二恶烷组成的组中选择母液的溶剂。优选地,选择母液沉淀的方法从旋转涂层和喷雾沉淀组成的组中进行选择。优选地,所选择的母液沉淀方法为喷雾沉淀方法,并且包括选择喷雾的液滴大小范围以便使液滴更易黏附在第一基板表面上,而较难黏附在第二基板表面上。优选地,所选择的母液沉淀方法为喷雾沉淀方法,并包括选择沉淀速率以便在第一表面上形成固体薄膜,而不在第二表面上形成固体薄膜。优选地,第一表面包括导体材料,而第二表面包括绝缘体材料。优选地,上述导体材料选自于铂、铱、钌、钯、钨、钛化钨(titanium tungsten)、金属硅化物、氮化钽、氮化铝钛以及氮化钛。优选地,上述绝缘材料选自于氧化硅、氮化硅、氧氮化硅以及氧氟化硅。优选地,第一表面包括具有拉伸应力的材料,而第二表面包括具有压缩应力的材料。优选地,涂层的处理步骤包括选自于真空处理、紫外线辐射、电处理(electricalpoling)、干燥、加热、焙干、快速热处理以及退火等的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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