[发明专利]具有双极性晶体管的半导体装置有效
| 申请号： | 00806939.5 | 申请日： | 2000-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1349661A | 公开（公告）日： | 2002-05-15 |
| 发明（设计）人： | 坂本和久 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有双极性晶体管的半导体装置,具有在该双极性晶体管的基极区域电气连接基极电极的基极触点部,所述基极触点部在平面结构中从所述发射极区域侧开始形成高杂质浓度区域和低杂质浓度区域反复排列的结构,该结构是与基极区域相同的导电型的高杂质浓度区域和在相对的导电型区域或相同导电型的低杂质浓度区域反复排列的结构。采用该结构,可抑制少数载流子累积到基极触点部,可以使开关动作高速进行,同时可以降低功耗。并且,发射极区域形成多条片状,在各片状的发射极区域内,形成不连接基极电极的基极区域,因此,不需要形成电极的空间,可以使发射极区域与基极区域的接触面积增大,从而可以充分扩大安全动作区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 极性 晶体管 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，是具有双极性晶体管的半导体装置，该双极性晶体管由作为集电极区域的第1导电型半导体层、由设置在该第1导电型半导体层上的第2导电型区域构成的基极区域、设置在该基极区域上的第1导电型区域构成的发射极区域和在所述基极区域内与所述发射极区域相对地设置的与基极电极电气连接的基极触点部所构成，所述基极触点部在平面结构中形成为从所述发射极区域侧开始所述第2导电型的高杂质浓度区域与第1导电型区域反复排列的结构。
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