[发明专利]具有双极性晶体管的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，是具有双极性晶体管的半导体装置，该双极性晶体管由作为集电极区域的第1导电型半导体层、由设置在该第1导电型半导体层上的第2导电型区域构成的基极区域、设置在该基极区域上的第1导电型区域构成的发射极区域和在所述基极区域内与所述发射极区域相对地设置的与基极电极电气连接的基极触点部所构成，所述基极触点部在平面结构中形成为从所述发射极区域侧开始所述第2导电型的高杂质浓度区域与第1导电型区域反复排列的结构。

2.一种半导体装置，是具有双极性晶体管的半导体装置，该双极性晶体管由作为集电极区域的第1导电型半导体层、由设置在该第1导电型半导体层上的第2导电型区域构成的基极区域、设置在该基极区域上的第1导电型区域构成的发射极区域和在上述基极区域内与上述发射极区域相对地设置的与基极电极电气连接的基极触点部所构成，所述基极触点部在平面结构中形成为从所述发射极区域侧开始所述第2导电型的高杂质浓度区域与构成所述基极区域的第2导电型区域反复排列的结构。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，所述发射极区域形成为多条片状，在该多条发射极区域间的基极区域沿所述片形成所述基极触点部。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，所述基极区域形成为在所述发射极区域内以格子状露出，在以该格子状露出的各个基极区域形成所述基极触点部。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，与所述发射极区域连接的发射极电极和与所述基极触点连接的基极电极形成为交替地啮合的梳齿状。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，所述发射极区域形成多条片状，该片状的发射极区域形成为在其中心部露出基极区域，与所述发射极区域电气连接地形成发射极电极，通过绝缘膜覆盖在该基极区域上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，设置在所述中心部的基极区域，是沿所述片状方向分割为多个而设置。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，设置在所述中心部的基极区域，是沿所述片状方向将所述发射极区域分割而设置，在该分割的2个发射极区域和其间的基极区域上形成所述发射极电极。

9.一种半导体装置，是具有双极性晶体管的半导体装置，该双极性晶体管由作为集电极区域的第1导电型半导体层、由设置在该第1导电型半导体层上的第2导电型区域构成的基极区域、设置在该基极区域上的第1导电型区域构成的发射极区域和在所述基极区域内与所述发射极区域相对地设置的与基极电气连接的基极触点部所构成，所述发射极区域形成多条片状，该片状的发射极区域形成为在其中心部露出基极区域，与所述发射极区域电气连接地形成发射极电极，覆盖在该基极区域之上。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，设置在所述中心部的基极区域，沿所述片状方向分割为多个而设置。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，设置在所述中心部的基极区域沿所述片状方向将所述发射极区域分割而设置，在该分割的2个发射极区域和其间的基极区域上通过绝缘膜形成所述发射极电极。