[发明专利]双向静电放电二极管结构无效
申请号: | 00806291.9 | 申请日: | 2000-12-05 |
公开(公告)号: | CN1347567A | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
发明(设计)人: | R·A·科尔克拉泽;D·M·希米德 | 申请(专利权)人: | 皇家菲利浦电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,傅康 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种保护一个电路抗御静电放电(ESD)的双向ESD二极管。这种双向ESD二极管中具有一个第一器件和一个第二器件,其每一个中包括有通过对一个半导体基底的掺杂而形成的具有P型导电性的一个第一区域和一个第三区域,以及通过对该半导体基底的掺杂而形成的具有N型导电性的一个第二区域和一个第四区域。第一器件的第一区域和第二器件的第四区域用于连接至双向二极管的阳极端上。第一器件的第四区域和第二器件的第一区域用于连接至双向二极管的阴极端上。阳极端用于连接至电路的信号端上,而阴极端用于连接至电路的正电源线上,又阴极端用于连接至电路的信号端上,而阳极端连接至地线上或者电路的负电源线上。 | ||
搜索关键词: | 双向 静电 放电 二极管 结构 | ||
【主权项】:
1.一种用于保护电路(110)抗御静电放电(ESD)的、具有四个相邻区域的双向器件(210'''),所述双向器件包含有:在一个半导体基底上形成的具有P型导电性的第一区域(310B)和第三区域(330B);以及在所述半导体基底上形成的具有N型导电性的第二区域(320B)和第四区域(340B);其中,所述第一区域(310B)用于连接至所述双向器件(210''')的阳极端(245)上,又其中,所述第四区域(340B)用于连接至所述双向器件(210''')的阴极端(250)上,所述阳极端(245)用于连接至所述电路(110)的信号端(115、120)上,而所述阴极端(250)用于连接至所述电路(110)的正电源线(140)上,又所述阴极端(250)用于连接至所述信号端(115、120)上,而所述阳极端(245)用于连接至地线(135)上或者所述电路(110)的负电源线上;以及其中,所述第一区域(310B)中包括着一个具有N型导电性的第一部分(340C),它用于连接至所述阳极(245)上,而所述[第四]区域中包括着一个具有P型导电性的第二部分,用于连接至所述阴极(250)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的