[发明专利]双向静电放电二极管结构

权利要求书

1.一种用于保护电路(110)抗御静电放电(ESD)的、具有四个相邻区域的双向器件(210''')，所述双向器件包含有：

在一个半导体基底上形成的具有P型导电性的第一区域(310B)和第三区域(330B)；以及

在所述半导体基底上形成的具有N型导电性的第二区域(320B)和第四区域(340B)；

其中，所述第一区域(310B)用于连接至所述双向器件(210''')的阳极端(245)上，又其中，所述第四区域(340B)用于连接至所述双向器件(210''')的阴极端(250)上，

所述阳极端(245)用于连接至所述电路(110)的信号端(115、120)上，而所述阴极端(250)用于连接至所述电路(110)的正电源线(140)上，又所述阴极端(250)用于连接至所述信号端(115、120)上，而所述阳极端(245)用于连接至地线(135)上或者所述电路(110)的负电源线上；以及

其中，所述第一区域(310B)中包括着一个具有N型导电性的第一部分(340C)，它用于连接至所述阳极(245)上，而所述[第四]区域中包括着一个具有P型导电性的第二部分，用于连接至所述阴极(250)上。

2.权利要求1的双向器件(210''')，其中所述第二部分形成自所述第三区域(330B)面对所述阴极端(250)方向上的延伸。

3.权利要求1的双向器件(210''')，还包含有形成在所述第一区域(310B)和所述第一部分(370C)上的一个第一导电层(370)，以及包含有形成在所述第四区域(340B)和所述第二部分上的一个第二导电层(375)。

4.权利要求3的双向器件(210''')，其中，所述第一导电层(370)连接至所述阳极端(245)上，所述第二导电层(375)连接至所述阴极端(250)上。

5.权利要求1的双向器件(210''')，其中所述第二、第三和第四区域(320B、330B和340B)在构造上产生出一个具有增大增益的NPN晶体管。

6.权利要求1的双向器件(210''')，包含有一个连接在所述第三区域(330B)与所述阳极端(245)之间的电阻(R)。

7.一种用于保护电路(110)抗御静电放电的双向二极管(210”)，它具有第一器件(210)和第二器件(210A)，所述第一器件(210)和所述第二器件(210A)之每一个包含有：

形成在一个半导体基底上具有P型导电性的第一区域(310、310A)和第三区域(330、330A)；

形成在所述半导体基底上具有N型导电性的第二区域(320、320A)和第四区域(340、340A)；

其中，所述第一器件(210)的第一区域(310)和所述第二器件(210A)的第四区域(340A)用于连接至所述双向二极管(210”)的阳极端(245)上，又所述第一器件(210)的第四区域(340)和所述第二器件(210A)的第一区域(310A)用于连接至所述双向二极管(210”)的阴极端(250)上；

所述阳极端(245)用于连接至所述电路(110)的信号端(115、120)上，而所述阴极端(250)用于连接至所述电路(110)的正电源线(140)上，又所述阴极端用于连接至所述信号端(115、120)上，而所述阳极端(245)连接至地线(135)上或者所述电路(110)的负电源线上。

8.权利要求7的双向二极管(210”)，其中，所述第二、第三和第四区域(320、330、340、320A、330A、340A)在构造上产生出一个具有增大增益的NPN晶体管(440)。

9.权利要求7的双向二极管(210”)，还包含有一个连接在所述第一器件(210)的第一区域(310)与所述第一区域(210)的第三区域(330)之间的电阻(R)，所述第三区域(330)位于所述第一器件(210)的所述第四区域(340)与所述第一器件(210)的第二区域(320)之间。