[发明专利]利用N阱隔离得到的PMOSEEPROM阵列内的独立可编程存储段及其制造方法无效
| 申请号： | 00800610.5 | 申请日： | 2000-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1310863A | 公开（公告）日： | 2001-08-29 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·S·格伯;兰迪·L·亚克;肯特·D·休伊特;贾恩保罗·斯帕迪尼 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 王志森 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P沟道存储单元阵列,通过生成其上构成有各存储段的多个电隔离N阱,而将所述P沟道存储单元阵列分割成独立的可编程存储段。本发明还涉及用于生成多个包括p－n结隔离和电介质隔离的电隔离的N阱的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 隔离 得到 pmoseeprom 阵列 独立 可编程 存储 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种存储器阵列，包括：在P型衬底内的多个N阱；以及多个独立可编程存储段；其中多个独立可编程存储段中的每一个位于一新型的单独的多个N阱之一内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
