[发明专利]利用N阱隔离得到的PMOSEEPROM阵列内的独立可编程存储段及其制造方法

权利要求书

1．一种存储器阵列，包括：

在P型衬底内的多个N阱；以及

多个独立可编程存储段；

其中多个独立可编程存储段中的每一个位于一新型的单独的多个N阱之一内。

2．如权利要求1所述的阵列，其中多个N阱的数量与多个独立可编程存储段的数量相同。

3．如权利要求1所述的阵列，其中多个N阱中的每一个彼此之间电隔离。

4．如权利要求1所述的阵列，其中多个N阱中的每一个可独立偏置至一电位。

5．如权利要求1所述的阵列，其中多个独立可编程存储段中的每一个包括：

位于多个N阱中每一个内的M存储单元列；以及

位于多个N阱中每一个内的N存储单元行。

6．如权利要求5所述的阵列，其中多个独立可编程存储段中的每一个还包括多个选择晶体管。

7．如权利要求1所述的阵列，其中多个独立可编程存储段中的每一个包括多个独立可编程存储部件。

8．如权利要求7所述的阵列，其中多个独立可编程存储部件中的每一个包括：

位于多个N阱其中之一内的多个存储单元列；以及

位于多个N阱其中之一内的多个存储器晶体管行。

9．如权利要求8所述的阵列，其中多个存储单元列等于8个存储单元列。

10．如权利要求1所述的阵列，其中多个N阱其中之一偏置到近似为地电位，以便对多个N阱中偏置到近似为地电位的其中之一内的多个独立可编程存储段的其中之一进行有效的写操作。

11．如权利要求10所述的阵列，其中多个N阱中除该多个中之一N阱之外的其它N阱偏置到相对较高的电位，以便禁止对除该多个中之一的N阱之外的其它多个N阱内的多个独立可编程存储段进行写操作。

12．一种生成如权利要求1所述的存储器阵列的方法，包括以下步骤：

使缓冲氧化物在P型衬底上生长；

向缓冲氧化物施加光致抗蚀剂；蚀刻光致抗蚀剂，以形成多个N阱沟道；以及

通过N阱沟道注入N阱。

13．一种生成如权利要求1所述的位于P型衬底内的多个N阱的方法，包括如下步骤：

使缓冲氧化物在P型衬底上生长；

向缓冲氧化物施加光致抗蚀剂；

蚀刻光致抗蚀剂，以形成多个N阱沟道；以及

通过N阱沟道注入N阱。

14．一种生成位于P型衬底内的多个N阱的方法，包括以下步骤：

使缓冲氧化物在P型衬底上生长；

向缓冲氧化物施加光致抗蚀剂；

蚀刻光致抗蚀剂，以形成多个N阱沟道；以及

通过N阱沟道注入N阱。

15．一种存储器阵列，包括：

P型衬底内的多个N阱；

在多个N阱每一个内的M存储单元列；以及

在多个N阱每一个内的N存储单元行。

16．如权利要求15所述的阵列，还包括在多个N阱每一个内的一行选晶体管。

17．如权利要求15所述的阵列，其中在多个N阱每一个内的N存储单元列和N存储单元行限定了一个独立可编程存储段。

18．一种存储器阵列，包括：

位于P型衬底内的一个N阱，其中该N阱被分段成多个电隔离子阱；

在多个电隔离子阱中每一个内的N存储单元列；

在多个电隔离子阱中每一个内的N存储单元行；以及

在多个子阱中每一个内的一行选晶体管。

19．一种制造如权利要求18所述的存储器阵列的方法，包括以下步骤：

注入P型衬底，以形成单个N阱；

在单个N阱上施加光致抗蚀剂；

蚀刻光致抗蚀剂，以形成多个孔；

通过多个孔蚀刻多个沟槽，使该沟槽的深度超过该N阱并且穿透P型衬底，以形成多个电隔离子阱；以及

采用绝缘材料填充多个沟槽，其中该绝缘材料防止多个电隔离子阱中每一个之间彼此导电。