[发明专利]半导体器件中的列晶体管无效
| 申请号： | 00136917.2 | 申请日： | 2000-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1302085A | 公开（公告）日： | 2001-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李敬守 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏,李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种读出放大器的列晶体管,其包括多组四个方形有源区的正交矩阵;互相垂直延伸的位线与本地数据线,各个有源区具有连接到其上的二条位线与一条本地数据线;及,具有弯折部分的栅极,从而增大该晶体管的宽度,其继而减少列晶体管的接触点的数目并且增大沟道宽度,以允许在一小面积内布置列晶体管,在有限面积内增大用于读出放大器的面积,提高形成接触的设计容差以及制造容差,有利于高密度器件封装并且增强器件的操作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 晶体管 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件中的列晶体管，包括：读出放大器，连接至本地数据线与位线，其中列晶体管的源区或漏区与相邻读出放大器的列晶体管的有源区的源区或漏区共用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
