[发明专利]半导体器件中的列晶体管无效
| 申请号: | 00136917.2 | 申请日: | 2000-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN1302085A | 公开(公告)日: | 2001-07-04 |
| 发明(设计)人: | 李敬守 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C11/34 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谷惠敏,李辉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 中的 晶体管 | ||
1.一种半导体器件中的列晶体管,包括:
读出放大器,连接至本地数据线与位线,
其中列晶体管的源区或漏区与相邻读出放大器的列晶体管的有源区的源区或漏区共用。
2.如权利要求1所述的列晶体管,其中列晶体管的栅极在列晶体管的有源区内弯折,从而增大晶体管的宽度。
3.如权利要求2的列晶体管,其中栅极被弯折为“匚”形。
4.如权利要求1所述的列晶体管,其中连接至一读出放大器的列晶体管的所有栅极是共用的。
5.如权利要求4所述的列晶体管,其中栅极与金属布线在一点处接触。
6.如权利要求1所述的列晶体管,其中列晶体管的有源区与二条位线及一条本地数据线接触。
7.一种半导体器件中的列晶体管,包括:
多组四个方形有源区的正交矩阵;
栅极,具有与上述组重叠的一个弯折部分,且与连接至同一读出放大器的列晶体管共同连接至金属布线;
位线,其中四条延伸至一个有源区,且仅有其中两条与该有源区接触;及
本地数据线,沿垂直位线的方向延伸,其中两条在有源区上方延伸,且仅有其中一条与该有源区接触。
8.如权利要求7所述的列晶体管,其中该栅极被弯折成“匚”形。
9.一种半导体器件中的列晶体管,包含:
多组四个方形有源区的正交矩阵;
栅极,具有与有源区重叠的“I”或“Y”形的弯折部位,其中相邻四个以彼此连接的形式构成一组,且被连接至一个读出放大器;
位线,沿一个方向延伸,使相邻的第一位线、第一位总线、第二位总线和第二位线依序与一个有源区重叠,且其中两条与一个有源区接触;以及
本地数据线,沿垂直位线的方向延伸,使两条本地数据线在有源区内延伸,仅其中一条与有源区接触,而一组四条本地数据线从一组四个有源区的右侧开始以相邻的第一本地数据线、第二本地数据总线、第一本地数据总线和第二本地数据线的顺序排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





