[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置无效
| 申请号： | 00135979.7 | 申请日： | 2000-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1323059A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 国清辰也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 关于具备多晶硅金属栅的半导体装置,可得到即使在导入到半导体膜内的杂质扩散到阻挡膜内的情况下也能抑制栅电阻的上升的半导体装置的制造方法。首先,在硅衬底1上按顺序形成氧化硅膜2和掺杂多晶硅膜3b。其次,在掺杂多晶硅膜3b上形成掺杂多晶硅－锗膜6b,作为其杂质的激活率比多晶硅的杂质的激活率高的膜。其次,在掺杂多晶硅－锗膜6b上按顺序形成阻挡膜7、金属膜8和阻挡膜9。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：(a)在衬底的主表面上经栅绝缘膜形成第1半导体膜的工序，其中，上述第1半导体膜在至少一部分中具有由其杂质的激活率比多晶硅的杂质的激活率高的材料构成的层，并被导入了规定的杂质；(b)在上述第1半导体膜上形成阻挡膜的工序；(c)在上述阻挡膜上形成金属膜的工序；以及(d)通过有选择地按下述顺序除去上述金属膜、上述阻挡膜和上述第1半导体膜来形成栅电极的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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