[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置

权利要求书

1．一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

(a)在衬底的主表面上经栅绝缘膜形成第1半导体膜的工序，其中，上述第1半导体膜在至少一部分中具有由其杂质的激活率比多晶硅的杂质的激活率高的材料构成的层，并被导入了规定的杂质；

(b)在上述第1半导体膜上形成阻挡膜的工序；

(c)在上述阻挡膜上形成金属膜的工序；以及

(d)通过有选择地按下述顺序除去上述金属膜、上述阻挡膜和上述第1半导体膜来形成栅电极的工序。

2．如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序(a)中，形成全部由上述层构成的上述第1半导体膜。

3．如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述工序(a)具有：

(a-1)形成由上述材料构成的第2半导体膜作为上述层的工序；以及

(a-2)形成其杂质的激活率与第2半导体膜的杂质的激活率不同的第3半导体膜的工序。

4．如权利要求3中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序(a-1)中，在包含与上述阻挡膜的界面的部分和包含与上述栅绝缘膜的界面的部分中的至少一方中形成上述第2半导体膜。

5．如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

还具备(e)在与上述阻挡膜的界面附近的上述第1半导体膜内导入稀有气体原子的工序。

6．如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

还具备(f)在与上述阻挡膜的界面附近的上述第1金属膜内导入稀有气体原子的工序。

7．如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

还具备(g)在上述工序(c)之前进行的、在上述阻挡膜内导入稀有气体原子的工序。

8．如权利要求7中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序(g)中，利用离子注入在上述阻挡膜内导入上述稀有气体原子。

9．一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

(a)在衬底的主表面上经栅绝缘膜形成被导入了规定的杂质的半导体膜的工序；

(b)在上述半导体膜上形成阻挡膜的工序；

(c)在上述阻挡膜上形成金属膜的工序；

(d)在与上述阻挡膜的界面附近的上述半导体膜内、与上述阻挡膜的界面附近的上述金属膜内及上述阻挡膜内中的至少一方内导入稀有气体原子的工序；以及

(e)通过有选择地按下述顺序除去上述金属膜、上述阻挡膜和上述半导体膜来形成栅电极的工序。

10．如权利要求9中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序(d)中，至少在上述阻挡膜内导入上述稀有气体原子，

在上述工序(c)中，利用离子注入在上述阻挡膜内导入上述稀有气体原子，

在上述工序(c)后进行上述工序(d)。

11．一种半导体装置，其特征在于：

具备：

衬底；以及

按下述顺序层叠了第1半导体层、阻挡层和金属层的栅电极，其中，上述第1半导体层在衬底的主表面上经栅绝缘膜有选择地被形成，并被导入了规定的杂质，

在上述第1半导体层的至少一部分中形成了由其杂质的激活率比多晶硅的杂质的激活率高的材料构成的第2半导体层。

12．如权利要求11中所述的半导体装置，其特征在于：

由上述第2半导体层构成了上述第1半导体层的全部。

13．如权利要求11中所述的半导体装置，其特征在于：

在上述第1半导体层内还形成了其杂质的激活率与第2半导体层的杂质的激活率不同的第3半导体层。

14．如权利要求13中所述的半导体装置，其特征在于：

在包含上述第1半导体层与上述阻挡层的界面的部分和包含上述第1半导体层与上述栅绝缘膜的界面的部分中的至少一方中形成了上述第2半导体层。

15．如权利要求11中所述的半导体装置，其特征在于：

还具备在与上述阻挡膜的界面附近的上述第1半导体膜内和与上述阻挡膜的界面附近的上述金属膜内中的至少一方内被形成的稀有气体原子导入层。