[发明专利]垂直MOS晶体管有效
| 申请号： | 00135316.0 | 申请日： | 2000-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1294415A | 公开（公告）日： | 2001-05-09 |
| 发明（设计）人： | 原田博文 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种垂直MOS晶体管,其中改善了高频特性,实现了低电压工作,获得了波动小的稳定特性。沟槽栅氧化之后,采用倾斜离子注入在侧壁形成体区,形成栅电极之后,采用倾斜离子注入形成低浓度源区,从而抑制了栅和源之间的电容以及栅和漏之间的电容。当采用上述体区形成方法时,沟道区的漏和源之间的杂质分布也得以均匀。此外,由于沟道长度决定了腐蚀设备,通过对沟槽腐蚀和栅电极腐蚀采用相同的设备,能够获得稳定沟道长度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
1．一种垂直MOS晶体管，包括：半导体衬底，包含第一导电类型的高浓度层和位于高浓度层上的外延层，外延层具有第一导电类型，其浓度低于高浓度层；凹槽部位，从半导体衬底主表面朝向第一导电类型的高浓度层而形成，其具有的深度不达到第一导电类型的高浓度层；绝缘膜，覆盖凹槽部位内的侧面和底面；多晶硅制成的栅电极，与绝缘膜接触并且埋置在凹槽部位；第一导电类型的源区，形成在凹槽部位之外，与凹槽部位接触并且位于半导体衬底表面上；第二导电类型的体区，形成为与凹槽部位接触，并且围绕高浓度源区，形成的深度与凹槽部位的底部相同；和漏电极，与半导体衬底背面的第一导电类型的高浓度区连接。
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