[发明专利]垂直MOS晶体管

权利要求书

1．一种垂直MOS晶体管，包括：

半导体衬底，包含第一导电类型的高浓度层和位于高浓度层上的外延层，外延层具有第一导电类型，其浓度低于高浓度层；

凹槽部位，从半导体衬底主表面朝向第一导电类型的高浓度层而形成，其具有的深度不达到第一导电类型的高浓度层；

绝缘膜，覆盖凹槽部位内的侧面和底面；

多晶硅制成的栅电极，与绝缘膜接触并且埋置在凹槽部位；

第一导电类型的源区，形成在凹槽部位之外，与凹槽部位接触并且位于半导体衬底表面上；

第二导电类型的体区，形成为与凹槽部位接触，并且围绕高浓度源区，形成的深度与凹槽部位的底部相同；和

漏电极，与半导体衬底背面的第一导电类型的高浓度区连接。

2．根据权利要求1的垂直MOS晶体管，其特征在于，在体区内，在深度方向从源区向第一导电类型的外延层，杂质浓度分布是恒定的。

3．根据权利要求2的垂直MOS晶体管，其特征在于，与凹槽部位接触并且从源区向第一导电类型的外延层延伸的体区的平面宽度是0．5μm或以下。

4．根据权利要求2的垂直MOS晶体管，其特征在于包括：

多晶硅制成的栅电极，与绝缘膜接触并且埋置到凹槽的一半深度；

第一导电类型的高浓度源区，形成在凹槽部位之外并且形成在半导体衬底主表面上，与凹槽部位接触，但不具有通过绝缘膜与多晶硅搭接的部位；和

第一导电类型的低浓度源区，形成为与凹槽部位接触，从高浓度源区底部向多晶硅上端而形成，具有低于高浓度源区的浓度。

5．根据权利要求3的垂直MOS晶体管，其特征在于包括：

多晶硅制成的栅电极，与绝缘膜接触并且埋置到凹槽的一半深度；

第一导电类型的高浓度源区，形成在凹槽部位之外并且形成在半导体衬底主表面上，与凹槽部位接触，但不具有通过绝缘膜与多晶硅搭接的部位；和

第一导电类型的低浓度源区，形成为与凹槽部位接触，从高浓度源区底部向多晶硅上端而形成，具有低于高浓度源区浓度的浓度。

6．一种垂直MOS晶体管，包括：

半导体衬底，包含第一导电类型的高浓度层和位于高浓度层上的外延层，外延层具有第一导电类型，其浓度低于高浓度层的浓度；

凹槽部位，从半导体衬底主表面朝向第一导电类型的高浓度层而形成，其具有的深度不达到第一导电类型的高浓度层；

绝缘膜，覆盖凹槽部位内的侧面和底面；

多晶硅制成的栅电极，与绝缘膜接触并且埋置到凹槽部位的一半深度；

第一导电类型的高浓度源区，形成在凹槽部位之外，并且形成在半导体衬底主表面上，与凹槽部位接触，但不具有通过绝缘膜与多晶硅搭接的部位；

第一导电类型的低浓度源区，形成为与凹槽部位接触，从高浓度源区向多晶硅上端而形成，具有低于高浓度源区浓度的浓度；

第二导电类型的体区，形成为与凹槽部位接触，并且围绕高浓度源区和低浓度源区；和

漏电极，与半导体衬底背面的第一导电类型的高浓度区连接。

7．根据权利要求4的垂直MOS晶体管，其特征在于，凹槽部位中的多晶硅埋置深度是距半导体衬底主表面0．5-0．8μm。

8．根据权利要求5的垂直MOS晶体管，其特征在于，凹槽部位中的多晶硅埋置深度是距半导体衬底主表面0．5-0．8μm。

9．根据权利要求6的垂直MOS晶体管，其特征在于，凹槽部位中的多晶硅埋置深度是距半导体衬底主表面0．5-0．8μm。

10．根据权利要求7的垂直MOS晶体管，其特征在于，第一导电类型的低浓度源区在深度方向通过绝缘膜与多晶硅之间的搭接是0．1μm或以下。

11．根据权利要求8的垂直MOS晶体管，其特征在于，第一导电类型的低浓度源区在深度方向通过绝缘膜与多晶硅之间的搭接是0．1μm或以下。

12．根据权利要求9的垂直MOS晶体管，其特征在于，第一导电类型的低浓度源区在深度方向通过绝缘膜与多晶硅之间的搭接是0．1μm或以下。