[发明专利]同步型半导体存储器无效
| 申请号： | 00122505.7 | 申请日： | 2000-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1278646A | 公开（公告）日： | 2001-01-03 |
| 发明（设计）人： | 山内忠昭 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407;G11C11/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将对外部控制信号/RAS解码以产生内部控制信号RAL的控制信号发生器28分成同步电路40和时序调整电路42两部分。同步电路40包括响应于彼此互补的内部时钟信号P1、P2的锁存电路44、54、64、68,与内部时钟信号P1、P2同步地产生表示工作模式的状态转换信号RASP1、READP1、WRITEP1。时序调整电路42以这些状态转换信号的上升或下降边缘为基准来调整内部控制信号的时序。因此,该控制信号发生器的设计是容易的。 | ||
| 搜索关键词： | 同步 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1．一种同步型半导体存储器，与时钟信号同步地取入多个外部控制信号，响应于该取入的外部控制信号，在多个工作状态间进行转换，其特征在于：包括：存储单元阵列；读出写入电路，从所述存储单元阵列中读出数据，并且对所述存储单元阵列写入数据；和控制信号发生器，产生控制所述读出写入电路的内部控制信号，供给所述读出写入电路；所述控制信号发生器包括：同步电路，与所述时钟信号同步地响应于所述外部控制信号，产生分别表示所述多个工作状态的多个状态转换信号，和时序调整电路，与所述时钟信号非同步地响应于所述状态转换信号，产生所述内部控制信号。
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