[发明专利]用于电子束曝光的方法以及用于制造半导体器件的方法

摘要

一种电子束曝光方法,当使用电子束曝光来在由导电部件所形成的闭合区域内形成分离的导电部件,使得它不影响已经形成的导电部件,使其通过每个层面,分别检测对于每个层面上的导电部件的图案提供的各个对齐标志,对每个层面计算差值,以表示在这些层面中图案相对应参考坐标值的位置偏移,对每个层面确定用于纠正这些差值的纠正值,并且从中选择一组纠正值,并用于确定用于电子束曝光方的位置,以在闭合区域中形成分离的导电部件。

主权项

1．一种电子束曝光方法，它在包括多个分层半导体层的半导体器件中确立用于电子束曝光的位置，在分层半导体层中，由互不相同的图案所形成的导电部件分离放置，当利用电子束曝光在由每个层上的导电部件所形成的各个封闭区域中形成分离的导电部件，以穿过所述层面而不影响已经在每个所述层面上形成的任何导电部件时，预先对每个层面的图案提供的各个对齐标志被分别检测，并且在每个层面中，表示各个图案或者整个半导体器件相对于参考坐标值的偏移度的差值被计算，并且对每个层面确定用于纠正这个差值目的的一纠正值，以及其中一个所述纠正值被选择并用于在所述封闭区域中形成所述分离的导电部件。