[发明专利]用于电子束曝光的方法以及用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1．一种电子束曝光方法，它在包括多个分层半导体层的半导体器件中确立用于电子束曝光的位置，在分层半导体层中，由互不相同的图案所形成的导电部件分离放置，当利用电子束曝光在由每个层上的导电部件所形成的各个封闭区域中形成分离的导电部件，以穿过所述层面而不影响已经在每个所述层面上形成的任何导电部件时，预先对每个层面的图案提供的各个对齐标志被分别检测，并且在每个层面中，表示各个图案或者整个半导体器件相对于参考坐标值的偏移度的差值被计算，并且对每个层面确定用于纠正这个差值目的的一纠正值，以及其中一个所述纠正值被选择并用于在所述封闭区域中形成所述分离的导电部件。

2．根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，在由至少第一层和第二层的叠层所形成的半导体基片中，其中在第一层内按照第一预定图案放置第一导电部件，在第二层内按照第二预定图案放置第二导电部件，当利用电子束曝光以便于不影响第一或第二导电部件在由所述第一和第二导电部件所形成的闭合区域中形成第三导电部件时，分别检测预先根据形成在所述第一和第二层上的图案提供在该基片上的各个对齐标记，确定纠正值，用于根据每个层面的参考纠正值纠正在每个层面中的各个图案或半导体器件的整个图案的偏移度，其中一个所述纠正值被选择，并且用于确定当在闭合区域内形成第三导电部件时用于电子束曝光的位置。

3．根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述第一层是栅极层第一层是栅极层，所述第一导电部件是栅极互连，所述第二层是互连层，以及所述第二导电部件是互连线，并且所述第三导电部件是接触互连。

4．根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述第一层是场层，所述第一导电部件是场区域，所述第二层是栅极层，所述第二导电部件是栅极互连，并且所述第三导电部件是触点互连。

5．根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述对齐标志分别提供于每个芯片上。

6．根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，多个所述对齐标志被提供于包括多个芯片的晶片上的预定位置。

7．根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，每个所述层面的所述各个对齐标志相互接近低置于一芯片中或芯片之间的适当位置。

8．根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，根据所述对齐标志的检测结果，对形成在每个层面上的各个芯片的图案之间的参考值的位置偏移，或者形成在每个层面中的每个芯片内的图案之间的参考值的位置偏移，并且从所检测的位置偏移信息计算和确定用于纠正每个层的所述位置偏移的纠正值，这些纠正值被用于确定用于在所述闭合区域内形成第三导电部件的电子束曝光位置。

9．根据权利要求8所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述用于每个所述层面的纠正值是根据X和Y方向分别确定。

10．根据权利要求8所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述用于每个所述层面的纠正值是根据已经被旋转任意角度的X和Y方向分别确定。

11．根据权利要求1所述的电子束曝光方法，其特征在于，所述纠正值包括偏移项、增加项、旋转项以及梯形项。

12．根据权利要求8所述的电子束曝光方法，其特征在于，当形成各个导电部件和在由一导电部件所形成的闭合区域中的分离导电部件的图案时，其中该图案至少形成在多个重叠层的每一层上，每个所述导电部件和所述分离导电部件被计算，并且根据所述计算的结果，选择X方向和Y方向的纠正值，该纠正值当确定用于电子束曝光的位置时被使用。

13．根据权利要求12所述的电子束曝光方法，其特征在于，当所述纠正值被选择时，优先选择用于这样一个坐标轴的纠正值，在该坐标轴对应于所述分离导电部件和每个所述层面中的导电部件之间的重叠边界较小的方向。

14．根据权利要求13所述的电子束曝光方法，其特征在于，确定用于电子束曝光方法的所述位置，所述纠正值是通过执行合成处理而确定的，该合成处理例如所述纠正值的求和平均或加权平均。