[发明专利]脉宽检测无效
申请号: | 00104901.1 | 申请日: | 2000-03-30 |
公开(公告)号: | CN1271177A | 公开(公告)日: | 2000-10-25 |
发明(设计)人: | G·弗兰科夫斯凯;H·特莱茨基 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术北美公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明,张志醒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种包含脉冲发生电路的半导体电路。提供了多个,n个延时元件,均由脉冲同时使能和截止。每个延时元件均适于将脉冲从输入传递到输出,并且脉冲在不同时刻到达各自的输出。提供了多个,n-1个检测器,其输入与相应的延时元件的输入耦合。每个检测器均适于响应接收到的部分脉冲而将其输出状态设置成多个状态中的某一预定状态。检测器输出与半导体电路的输出管脚耦合。提供了一种测试器,适于与半导体输出管脚耦合来检测检测器的输出状态。 | ||
搜索关键词: | 检测 | ||
【主权项】:
1.一种装置包含:第一装置,分别由其接收到的脉冲的上升和下降沿使能和截止,第一装置被配置成在多个不同的输出时刻提供脉冲给多个输出端,从而定义多个有各自相应时间间隔的持续时间窗,其中最短时间间隔的倒数定义第一频率;以及第二装置,与多个输出端耦合,并适于提供一个或多个标志来表示部分脉冲是否被各输出端接收,各标志可在比第一频率低的第二频率下是可检测的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术北美公司,未经因芬尼昂技术北美公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00104901.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:流化床气化和熔融燃烧的方法及装置
- 下一篇:电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造