[发明专利]脉宽检测无效
申请号: | 00104901.1 | 申请日: | 2000-03-30 |
公开(公告)号: | CN1271177A | 公开(公告)日: | 2000-10-25 |
发明(设计)人: | G·弗兰科夫斯凯;H·特莱茨基 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术北美公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明,张志醒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 | ||
1.一种装置包含:
第一装置,分别由其接收到的脉冲的上升和下降沿使能和截止,第一装置被配置成在多个不同的输出时刻提供脉冲给多个输出端,从而定义多个有各自相应时间间隔的持续时间窗,其中最短时间间隔的倒数定义第一频率;以及
第二装置,与多个输出端耦合,并适于提供一个或多个标志来表示部分脉冲是否被各输出端接收,各标志可在比第一频率低的第二频率下是可检测的。
2.如权利要求1的装置,其中多个延时元件有相应的多个并联输入端。
3.如权利要求1的装置,其中多个延时元件串联从而在它们之间传递脉冲。
4.一种半导体电路包含:
操作电路,配置成产生含有至少一个脉冲的被测信号;
测试电路,配置成在有效采样频率下感应信号,并产生至少一个脉冲特征的标志,此标志在低于有效采样频率的频率下可测,测试电路工作独立于时钟信号,该时钟信号的时钟频率高于有效采样频率。
5.如权利要求4的电路,其中测试电路配置成产生信号中脉冲持续时间的标志。
6.一种半导体电路包含:
操作电路,用于产生有一定脉宽的脉冲;
多个延时元件,由脉冲同时使能和截止,该多个延时元件适于在多个不同时刻提供至少部分脉冲给多个延时元件输出端;以及
译码器,与该多个延时元件输出端耦合,并响应该多个延时元件输出端上的脉冲而提供信号来表示包含了脉宽的持续时间窗。
7.如权利要求6的电路,其中的信号是幅值相应于该窗的直流信号。
8.如权利要求6的电路,其中的信号是表示二进制值的一组直流信号的部分。
9.一种半导体电路包含:
脉冲发生电路;
多个,n个延时元件,由脉冲同时使能和截止,每个延时元件均适于把脉冲从输入传递到输出,该多个,n个延时元件配置成在不同时刻传递脉冲到相应的该多个,n个延时元件的输出;以及
n-1个检测器,其检测器输入均与该多个,n个延时元件中相应的一个的输入耦合,每个检测器适于响应接收到的部分脉冲而将检测器输出状态设置成多个状态中的某预定状态。
10.如权利要求9的电路,其中每个检测器输出可选择性地与电路的一个输出管脚耦合。
11.如权利要求9的电路,其中的多个,n个延时元件串联,把脉冲从一个延时元件的输出传递到另一个延时元件的输入。
12.如权利要求11的电路,其中由该多个,n个延时元件中每一个延时元件的输入输出之间所带给脉冲的延时基本上相同。
13.如权利要求10的电路,其中的多个,n个延时元件中每一个的输入端均连在一起。
14.如权利要求13的电路,其中每个延时元件适于在其输入输出之间把脉冲延时一个基本唯一的延时量。
15.如权利要求10的电路,其中的标志是直流能级。
16.如权利要求10的电路,还包括另一个检测器,其检测器输入与多个,n个延时元件中第一个的输入耦合。
17.如权利要求16的电路,还包括另一个检测器,其检测器输入与多个,n个延时元件中最后一个的输出耦合。
18.一种半导体电路包含:
脉冲发生电路;
多个,n个延时元件串联,适于同时分别被脉冲上升和下降沿使能和截止,当脉冲在该延时元件的延时元件输入和延时元件输出之间传递时,每个延时元件均适于延时该脉冲;以及
多个,n个锁存器,其锁存器输入均与相应的延时元件输入耦合,每个锁存器适于响应在其锁存器输入接收到的部分脉冲而将锁存器输出端状态设置成第一预定状态,该多个,n个锁存器中选出一个的锁存器复位端与多个,n个延时元件中最后一个的输出耦合,并适于响应在该锁存器复位端接收到的部分脉冲而将该锁存器状态设置成第二预定状态。
19.如权利要求18的电路,其中的多个,n个锁存器中选出的那个是该多个,n个锁存器中的第一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造