[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 00104804.X | 申请日： | 2000-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1288251A | 公开（公告）日： | 2001-03-21 |
| 发明（设计）人： | D·特本 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/768;H01L21/314;H01L21/82;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成至晶体管阵列的源/漏区的源/漏接点的方法。该形成方法包括在介质材料的区域的侧壁上形成隔离层;对一种刻蚀剂暴露栅氧化层的披露出的部分以除去栅氧化层的被露出的部分,该刻蚀剂以远高于对隔离层的刻蚀率刻蚀该栅氧化层;以及在该隔离层上形成导电性材料并与源/漏区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种用于形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：在半导体基体上形成第1介质；在该第1介质上形成第2介质；在该第2介质上形成第3介质；形成穿过该第3介质的被选择的部分的通路以露出下面的该第2介质的部分；形成穿过该第2介质的被露出的部分的通路以露出下面的该第1介质的部分；在该通路的侧壁上形成隔离层，这种隔离层由这样的材料构成，该材料对于一种刻蚀剂的刻蚀率远比该第1材料对于所述刻蚀剂的刻蚀率小；以及使该刻蚀剂与该隔离层和该第1介质的被露出的部分接触，以除去该第1介质的被露出的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
