[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1．一种用于形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：

在半导体基体上形成第1介质；

在该第1介质上形成第2介质；

在该第2介质上形成第3介质；

形成穿过该第3介质的被选择的部分的通路以露出下面的该第2介质的部分；

形成穿过该第2介质的被露出的部分的通路以露出下面的该第1介质的部分；

在该通路的侧壁上形成隔离层，这种隔离层由这样的材料构成，该材料对于一种刻蚀剂的刻蚀率远比该第1材料对于所述刻蚀剂的刻蚀率小；以及

使该刻蚀剂与该隔离层和该第1介质的被露出的部分接触，以除去该第1介质的被露出的部分。

2．如权利要求1中所述的方法，其特征在于：

该第1介质包括二氧化硅。

3．如权利要求2中所述的方法，其特征在于：

该第3材料包括掺硼的玻璃。

4．如权利要求2中所述的方法，其特征在于：

该第2介质包括氮化硅。

5．如权利要求4中所述的方法，其特征在于：

该第3介质包括掺硼的玻璃。

6．如权利要求5中所述的方法，其特征在于：

该隔离层包括硅。

7．如权利要求6中所述的方法，其特征在于：

包括形成穿过隔离层通路的电接点，该接点与该隔离层和该半导体基体的该露出的部分接触。

8．如权利要求7中所述的方法，其特征在于：

包括形成与该半导体基体的该露出的部分进行欧姆接触的接点。

9．如权利要求1中所述的方法，其特征在于：

包括形成穿过隔离层通路的电接点，该接点与该隔离层和该半导体基体的该露出的部分接触。

10．如权利要求9中所述的方法，其特征在于：

包括形成与该半导体基体的该露出的部分进行欧姆接触的接点。

11．一种用于形成至晶体管阵列的源/漏区的源/漏接点的方法，其特征在于，该方法包括：

(a)提供在半导体基体的表面上具有栅氧化层的半导体基体，该栅氧化层在该半导体基体中的有源区上延伸，该基体具有在该栅氧化层上横跨有源区的行的列的栅叠层，该栅氧化层在该有源区的部分中的源/漏区上延伸；

(b)在该被设置的半导体基体的表面上形成介质材料；

(c)穿过该介质材料在栅叠层的各列之间的有源区的部分中的源/漏区上刻蚀通路，在栅叠层的各相邻列的部分上形成这种通路的侧壁的第1部分，在栅叠层的各相邻列之间形成这种通路的侧壁的第2部分，该通路在源/漏区上露出该栅氧化层的部分；

(d)在该通路中形成源/漏接点，该形成工艺包括：

(ⅰ)在介质材料的区域的侧壁上形成隔离层；

(ⅱ)对一种刻蚀剂暴露该栅氧化层的被露出的部分以除去该栅氧化层的被露出的部分，该刻蚀剂以远高于对隔离层的刻蚀率刻蚀该栅氧化层；

(ⅲ)在该隔离层上形成导电性材料并与源/漏区接触。

12．如权利要求11中所述的方法，其特征在于：

设置具有氮化硅侧壁隔离层的栅叠层的各列。

13．如权利要求12中所述的方法，其特征在于：

该介质材料包括氧化物。

14．如权利要求13中所述的方法，其特征在于：

该隔离层包括与该氧化物不同的材料，并具有抗用于刻蚀该氧化物的刻蚀剂的性能。

15．如权利要求11中所述的方法，其特征在于：

包括将离子注入到该源/漏区中的步骤，该隔离层提供对于该离子注入的掩蔽。