[发明专利]用于抛光晶片的载体的储存方法

说明书

发明背景

本发明涉及用于抛光硅晶片的载体的存储方法。在某些抛光工艺中，对晶片两个表面同时进行抛光。

近年来，人们关注抛光硅晶片，特别是对其两个表面同时进行抛光。但是，还存在抛光过程中硅晶片上产生划痕的严重问题。

形成这种划痕的主要原因来自于载体和驱动载体的销钉套筒。这种载体和销钉套筒公开于日本专利申请8-096166。对这些部件已经提出改进，以便减少划痕的发生率。

但是，随着这种改进的提出，可以允许的划痕的技术要求已经限制为很少的和较小的能够达到准许。于是，需要更多的改进，对载体要求更严格的控制。

载体迄今已经存储在干燥条件中，例如如图3所示，其中载体3水平地放置在多个载体装定器2上，装定器位于载体储藏室中的辊子4上。

已经发现由于这种干燥存储，持续发生不能允许程度的划痕。而且，硅晶片上的划痕数量随着载体在抛光工艺中使用的次数而增加。确信划痕是由例如载体上残留的研磨浆料的沾染物引起的，当用存储的载体进行置换时，沾染物卷入进行抛光的硅晶片。沾染物也可能是由于使用完全新的载体而入的。

考虑到上述问题，本发明的目的在于提供一种晶片抛光载体的存储方法，这种载体的存储方式可以减少硅晶片上的划痕，这些划痕是在抛光硅晶片、特别是同时抛光其两个表面的过程中产生的。

发明概述

本发明提供一种极少在晶片上产生划痕的硅晶片抛光方法；提供采用晶片载体的这种方法，能够用于无需明显改变的现行抛光设备；提供能够经济使用的方法；提供能够用于同时抛光晶片两侧的晶片抛光工艺的方法。

本发明提供抛光硅晶片所用的载体的存储方法。该方法包括在晶片抛光工序中与晶片一起使用之前，把载体完全浸入在含去离子水的液体中加以存储。

通过以下说明将可了解其它目的和特征。

附图的简要说明

图1是展示本发明的存储载体的方法实施例的示意图。

图2是展示本发明的存储载体的方法另一实施例的示意图。

图3是展示存储载体的传统方法实施例的示意图。

图4是展示抛光次数与划痕发生率之间相关性的曲线图。

贯穿于几幅附图中，对应的参考标记表示对应的部分。

优选实施例的详细说明

本发明提供一种在抛光工艺的硅晶片抛光工序期间使用的载体的存储方法。最好同时抛光晶片的两个表面。该方法包括在抛光工序之前，把载体完全浸入存储在存储液中，存储液例如是去离子水或者包含去离子水的混合液。

在载体存储期间，存储液最好是在约20℃～约80℃的温度范围内。在载体存储期间最好对存储液进行过滤循环净化。但是可以预见，除了载体存储期间或者代替载体存储期间，可以对存储液另外过滤数次。

根据本发明，提供一种同时抛光硅晶片两个表面所用的载体的存储方法，其特征在于，把载体完全浸入存储在存储液中，存储液包括混合液，还包括含有溶解固体的一种或多种液体。存储液的主要成分是去离子水。

最好在去离子水中添加以下成分，获得液体混合物，按去离子水重量的添加量如下：

表面活性剂(0.1-5wt％)；

氨水和过氧化氢；和

表面活性剂(0.1-5wt％+氨水和过氧化氢)。

表面活性剂可以是可溶固体。

本发明中，存储液最好具有7-12的pH值。而且，最好对存储液进行过滤循环净化。

在本发明的方法中，载体和清洗磨料抛光盘的刷子存储在载体和刷子完全浸入存储液的条件下。

如上所述，在本发明的载体存储方法中，载体完全浸入存储在存储液中。因此，由于载体能够与沾染物隔离，所以能够在清洁条件中存储和从存储中取出载体。此外，由于沾染物最好不在载体上干燥而且即使载体最初被沾污沾染物也不易粘附在载体上，因而易于洗掉载体上的沾染物。因此，在抛光过程中会引起划痕的沾染物被减少。

本发明的方法不仅可以应用于上述用于抛光的载体，而且还可以应用于清洗磨料抛光盘所用的刷子。

本发明所用的去离子水最好是使用电同流换热式离子交换器精制的超纯去离子水，离子交换器中组合使用离子交换树脂和离子交换膜，或者是用反向渗透设备精制的去离子水。

本发明的液体混合物最好是通过在所得混合物中添加表面活性剂制备的，添加量是去离子水的0.1-5wt％(无任何水)。

这样可以对存储液赋予清洗附着于载体的沾染物(特别是颗粒)的效果，然后通过过滤去除。通常，氨水∶过氧化氢水溶液∶去离子水的体积比控制在1∶1∶10～1∶1∶200的大致范围内。