[发明专利]用于抛光晶片的载体的储存方法无效

专利信息
申请号: 99814852.0 申请日: 1999-12-08
公开(公告)号: CN1331838A 公开(公告)日: 2002-01-16
发明(设计)人: 池田正明;吉村一郎 申请(专利权)人: MEMC电子材料有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;B24B37/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 抛光 晶片 载体 储存 方法
【权利要求书】:

1.一种抛光硅晶片所用载体的存储方法,其特征在于,在晶片抛光工序中与晶片一起使用之前,把所述载体完全浸入存储在含去离子水的液体中。

2.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述液体的温度在约20℃~80℃的范围内。

3.根据权利要求2的方法,其特征在于,对所述液体进行过滤循环净化。

4.根据权利要求3的方法,其特征在于,所述液体基本上全部是去离子水。

5.根据权利要求4的方法,其特征在于,对所述晶片两个表面同时进行抛光。

6.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述液体是含有去离子水作为其基本部分的混合物。

7.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述混合物包括表面活性剂,其含量在混合物中的去离子水总重量的约0.1-5%的范围。

8.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述混合物包括氨水和过氧化氢。

9.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述混合物包括氨水、过氧化氢和表面活性剂,含量在混合物中的去离子水总重量的约0.1-5%的范围。

10.根据权利要求8的方法,其特征在于,所述混合物的pH值约是7-12。

11.根据权利要求9的方法,其特征在于,所述混合物的pH值约是7-12。

12.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述混合物的温度在约20℃-80℃的范围内。

13.根据权利要求12的方法,其特征在于,对所述混合物进行过滤循环净化。

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