[发明专利]用于抛光晶片的载体的储存方法无效
申请号: | 99814852.0 | 申请日: | 1999-12-08 |
公开(公告)号: | CN1331838A | 公开(公告)日: | 2002-01-16 |
发明(设计)人: | 池田正明;吉村一郎 | 申请(专利权)人: | MEMC电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B24B37/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 抛光 晶片 载体 储存 方法 | ||
1.一种抛光硅晶片所用载体的存储方法,其特征在于,在晶片抛光工序中与晶片一起使用之前,把所述载体完全浸入存储在含去离子水的液体中。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述液体的温度在约20℃~80℃的范围内。
3.根据权利要求2的方法,其特征在于,对所述液体进行过滤循环净化。
4.根据权利要求3的方法,其特征在于,所述液体基本上全部是去离子水。
5.根据权利要求4的方法,其特征在于,对所述晶片两个表面同时进行抛光。
6.根据权利要求1的方法,其特征在于,所述液体是含有去离子水作为其基本部分的混合物。
7.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述混合物包括表面活性剂,其含量在混合物中的去离子水总重量的约0.1-5%的范围。
8.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述混合物包括氨水和过氧化氢。
9.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述混合物包括氨水、过氧化氢和表面活性剂,含量在混合物中的去离子水总重量的约0.1-5%的范围。
10.根据权利要求8的方法,其特征在于,所述混合物的pH值约是7-12。
11.根据权利要求9的方法,其特征在于,所述混合物的pH值约是7-12。
12.根据权利要求6的方法,其特征在于,所述混合物的温度在约20℃-80℃的范围内。
13.根据权利要求12的方法,其特征在于,对所述混合物进行过滤循环净化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司,未经MEMC电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/99814852.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:芯片型PTC热敏电阻
- 下一篇:填塞垫
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造