[发明专利]信息记录介质和信息记录方法无效
申请号: | 99809145.6 | 申请日: | 1999-07-30 |
公开(公告)号: | CN1311739A | 公开(公告)日: | 2001-09-05 |
发明(设计)人: | 一条稔;碇喜博;田村礼仁;渡边均;松室秀隆 | 申请(专利权)人: | 日立马库塞鲁株式会社 |
主分类号: | B41M5/26 | 分类号: | B41M5/26;G11B7/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 方法 | ||
本发明涉及一种信息记录介质和在信息记录介质中记录信息的方法,通过加热和冷却,该信息记录介质的记录层可在晶态和非态之间部分转变,从而利用记录层的部分变形,把信号记录在记录层中。
JP-A-61-2594公开了利用电子束蒸镀或溅射,把作为含氧记录层的碲和氧化碲混合物沉积到记录介质基体上。
JP-A-2-252577公开了在氩气和氧气的气体混合物中,通过溅射,把含碲化合物沉积到记录介质基体上,从而形成含氧的记录层。
JP-A-63-58636公开了利用电子束蒸镀,把作为含氧记录层的包括氧化碲和碲的化合物沉积到记录介质基体上,以及在氩气和氧气的气体混合物中,通过溅射,把含碲化合物沉积到记录介质基体上,从而形成含氧记录层。
本发明的目的是提供一种信息记录介质和一种信息记录方法,借助该介质和该方法,可抑制记录的信息随着时间的流逝而发生的改变,和/或可清楚可靠地读出记录的信息。具体地说,本发明的目的是提供一种信息记录介质和一种信息记录方法,就该介质和该方法而言,可防止环绕记录层非晶态部分的记录层晶态部分外延生长到记录层的非晶态部分中,和/或记录层的非晶态部分和环绕其的记录层晶态部分之间的分界线清晰而平滑。
在最近几年,在所谓的光盘的广泛扩展中,在更恶劣的条件下使用并保存光盘。于是,必须提高光盘的可靠性。通过考虑到这一点而进行的涉及上述材料的各种持久性实验,发现在高温高温恶劣环境下长期保存具有记录的信息的光盘之后,诸如信号不稳定性之类的信号质量被恶化。通过对此进行仔细研究,发现接触非晶标志(mark)的晶态部分外延生长,从而改变了晶态部分的形状。另外还发现在非晶态标志的中心区域,即不接触晶态部分的非晶态部分,没有发生任何改变。为了克服这种问题,改变了记录层的材料和组成物,以便增大记录层的活化能量,从而提高非晶态的稳定性,但是仍然发生了类似的现象。这些情况表明不能通过提高非晶态的活化能量,从而提高非晶态的热稳定性来解决这种现象,必须提出基于一种新观点的改进。发明人从为了解决上述问题的各种研究中发现,记录层中非晶态标志和晶态部分之间分界面的改进非常重要,可通过调整记录层中氧的含量,解决上述问题。
在包括基体和基体上的记录层的信息记录介质中,通过局部加热和冷却,记录层可在晶态和非晶态之间局部转变,从而借助该局部转变,把信号记录在记录层中,记录层中所含的氧限制了转变部分的改变,尤其是从晶态转变为非晶态的记录层部分的再结晶,从而限制了记录信息随着时间的流逝而发生的变化。可把GE-Sb-Te类,In-Sb-Te类,Ag-In-Sb-Te类,MA-Ge-Sb-Te类(MA包括Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ti,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Ag,Tl,S,Se和Pt中的至少之一),Sn-Sb-Te类,In-Se-Tl类,In-Se-Tl-MB类(MB包括Au,Cu,Pd,Ta,W,Ir,Sc,Y,Ii,Zr,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Fe,Ru,Co,Rh,Ni,Ag,Tl,S,Te和Pt中的至少之一),Sn-Sb-Se类等材料用作记录层。
如果记录层中氧的含量低于记录层中原子总量的2%(原子百分比),则难以获得通过记录层的局部转变形成的记录标志的稳定性。如果记录层中氧的含量高于20%(原子百分比),则不容易实现晶态和非晶态之间的转变。为了提高记录标志的稳定性,氧含量优选为3~15%(原子百分比),最好为8~14%(原子百分比)。
氧以氧化物的形式包含在记录层中,使记录层能够稳定地保持记录层中的氧,并在记录层中限制组成部分从非晶态部分扩散到晶态部分中,或者从晶态部分扩散到非晶态部分中,和/或从晶态部分进入非晶态部分的晶体生长。
如果记录层包括Ge,Sb和Te,则最好至少一部分Ge以氧化物的形式包含在记录层中。记录层中呈氧化物形式的至少一部分Ge的含量a和记录层中,除去呈氧化物形式的至少一部分Ge之外的另一部分Ge的含量b之间的关系,最好在由(0.02≤a/(a+b)≤0.5)确定的范围内。
如果记录层包括Ge,Sb和Te,最好至少一部分Sb以氧化物的形式包含在记录层中。记录层中呈氧化物形式的至少一部分Sb的含量c和记录层中,除去呈氧化物形式的至少一部分Sb之外的另一部分Sb的含量d之间的关系,最好在由(0.01≤c/(c+d)≤0.2)确定的范围内。
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