[发明专利]信息记录介质和信息记录方法

权利要求书

1．一种信息记录介质，它包括基体和基体上的记录层，借助局部加热和冷却，记录层可在晶态和非晶态之间局部转变，从而借助局部转变把信号记录在记录层中，其中记录层含有氧。

2．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中记录层包括Te和Se中的至少一种作为记录层的主要成分。

3．按照权利要求1或2所述的信息记录介质，其中记录层中的氧含量为记录层中所有原子的总含量的2～20％(原子百分比)。

4．按照权利要求1-3任一所述的信息记录介质，其中记录层以氧化物的形式含有氧。

5．按照权利要求1-4任一所述的信息记录介质，其中记录层包括Ge，并且至少一部分Ge以氧化物的形式存在于记录层中。

6．按照权利要求5所述的信息记录介质，其中记录层中呈氧化物形式的至少一部分Ge的含量a和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Ge之外的另一部分Ge的含量b之间的关系，最好在由(0.02≤a/(a+b)≤0.5)确定的范围内。

7．按照权利要求1-4任一所述的信息记录介质，其中记录层包括Sb，并且至少一部分Sb以氧化物的形式存在于记录层中。

8．按照权利要求7所述的信息记录介质，其中记录层中呈氧化物形式的至少一部分Sb的含量c和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Sb之外的另一部分Sb的含量d之间的关系，最好在由(0.01≤c/(c+d)≤0.2)确定的范围内。

9．按照权利要求1-4任一所述的信息记录介质，其中记录层含有Ag,In,Sb和Te，并且至少一部分In以氧化物的形式存在于记录层中。

10．按照权利要求9所述的信息记录介质，其中记录层中呈氧化物形式的至少一部分In的含量e和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分In之外的另一部分In的含量f之间的关系，最好在由(0.01≤e/(e+f)≤0.5)确定的范围内。

11．按照权利要求1-4任一所述的信息记录介质，其中记录层包括Ag,In,Sb和Te，并且至少一部分Sb以氧化物的形式存在于记录层中。

12．按照权利要求11所述的信息记录介质，其中记录层中呈氧化物形式的至少一部分Sb的含量g和记录层中，除去呈氧化物形式的至少一部分Sb之外的另一部分Sb的含量h之间的关系，最好在由(0.01≤g/(g+h)≤0.2)确定的范围内。

13．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中可借助光束局部加热记录层。

14．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中氧以记录层中氧化物的形式存在于记录层中，并且当加热以熔化一部分记录层时，由于该部分记录层中包含的氧化物，该部分记录层保持较高的粘性，从而该部分记录层保持较高的表面张力，以致熔化并且随后被冷却固化的该部分记录层和环绕该部分记录层的另一部分记录层之间的至少一部分分界线是光滑的弧形。

15．按照权利要求13或14所述的信息记录介质，其中记录信号具有“0”状态和“1”状态，“0”状态和“1”状态中的一个状态由所述至少一部分分界线确定，并在所述至少一部分分界线处被识别。

16．按照权利要求13或14所述的信息记录介质，其中冷却固化后的该部分记录层为非晶态，另一部分记录层为晶态。

17．按照权利要求13或14所述的信息记录介质，其中冷却固化后的该部分记录层为晶态，另一部分记录层为非晶态。

18．按照权利要求1所述的信息记录介质，其中基体包括径向并列的多个环形凹槽，和在凹槽之间环形延伸的，并沿径向方向并列的多个凸区，所述径向并列的多个凹槽和所述径向并列的多个凸区中的至少一个构成记录轨道，信号被记录在记录轨道上。

19．按照权利要求18所述的信息记录介质，其中记录轨道之间的径向距离不大于1微米。

20．按照权利要求18所述的信息记录介质，其中记录轨道之间的径向距离不大于0.7微米。