[发明专利]光缆及其制造方法以及从光缆中取出光纤的方法

权利要求书

1.一种光缆，在该光缆中，在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围，将多根光纤以SZ扭绞状态集合并在其周围覆盖外护层，其中：

上述抗张力体在与上述光纤形成的SZ轨迹的反转部对应的位置处具有带磁部，在上述外护层上与上述带磁部对应的位置处设置有反转部表示标志。

2.如权利要求1的光缆，其中上述中心构件是在外周上形成多个可容纳上述光纤的SZ状的螺旋沟的多沟定位件。

3.如权利要求1的光缆，其中分别内藏有预定个数的上述光纤的多个光纤单元在上述中心构件的周围以SZ扭绞状态集合。

4.如权利要求3的光缆，其中上述光纤单元是通过将光纤容纳于单沟定位件中而形成的。

5.如权利要求3的光缆，其中上述光纤单元是通过将光纤容纳于松套管中而形成的。

6.一种光缆，在该光缆中，在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围，将多根光纤以SZ扭绞状态集合的同时，在上述内层光纤的周围以SZ扭绞状态集合多个外层光纤，并在其周围包覆外护层，其中：

上述抗张力体具有在与上述内层光纤形成的内层SZ轨迹的内层反转部相对应的位置处设置的第一带磁部，及在与上述抗张力体的上述外层光纤形成的上述外层SZ轨迹的外层反转部相对应的位置处设置的可与上述第一带磁部互相识别的第二带磁部。

7.如权利要求6的光缆，其中上述第一带磁部的磁通密度和上述第二带磁部的磁通密度不同。

8.如权利要求6的光缆，其中在上述抗张力体纵长方向上的上述第一带磁部的长度与在该方向上的上述第二带磁部的长度不同。

9.如权利要求6的光缆，其中上述第一带磁部和上述第二带磁部中的磁通密度沿上述抗张力体的纵长方向分别变化。

10.如权利要求6的光缆，其中在与上述第一带磁部对应的位置处的上述外护层上设置上述内层反转部表示标志，在与上述第二带磁部对应的位置处的上述外护层上设置可与上述内层反转部表示标志互相识别的外层反转部表示标志。

11.如权利要求6的光缆，其中上述中心构件是在外周上形成多个可容纳上述光纤的SZ状的螺旋沟的多沟定位件，内藏有上述外层光纤的多个光纤单元在中心构件的周围以SZ扭绞状态集合。

12.如权利要求11的光缆，其中上述光纤单元只通过将光纤容纳于单沟定位件中而形成的。

13.如权利要求7的光缆，其中具有多个内藏上述内层光纤的内层光纤单元和内藏上述外层光纤的外层光纤单元，上述内层光纤单元在上述中心构件的周围以SZ扭绞状态集合，上述外层光纤单元在上述内层光纤单元周围以SZ扭绞状态集合。

14.如权利要求13的光缆，其中上述光纤单元是通过将光纤容纳于单沟定位件中而形成的。

15.如权利要求13的光缆，其中上述内层光纤单元和上述外层光纤单元是通过将光纤容纳于松套管中而形成的。

16.一种光缆制造方法，在该光缆中，在中心内藏金属制抗张力体的中心构件的周围将多根光纤以SZ扭绞状态集合，并在其周围覆盖外护层，该制造方法包括下列步骤：

在上述光纤形成的SZ轨迹的反转部对应位置处，通过使上述抗张力体磁化而形成带磁部的工序，以及

通过从上述外护层的外侧检测上述带磁部而在与上述外护层的上述带磁部对应的位置处设置反转部表示标志的工序。

17.如权利要求16的光缆制造方法，其中还包括：

将上述光纤容纳于由在外周形成多个SZ状的多个螺旋沟的单沟定位件组成的上述中心构件的相应的上述螺旋沟中的工序。

18.如权利要求16的光缆制造方法，其中还包括：

制造内藏有预定数目的上述光纤的光纤单元的工序，及将制造的上述光纤单元以SZ扭绞状态集合在上述中心构件周围的工序。

19.如权利要求18的光缆制造方法，其中：上述制造光纤单元的工序包含将上述光纤容纳于单沟定位件中的工序。

20.如权利要求18的光缆制造方法，其中：上述制造光纤单元的工序包含将上述光纤单元容纳于松套管中的工序。