[发明专利]芯片尺寸封装及其制造方法无效

专利信息
申请号: 99108864.6 申请日: 1999-06-28
公开(公告)号: CN1241815A 公开(公告)日: 2000-01-19
发明(设计)人: 朴相昱;金芝连 申请(专利权)人: 现代电子产业株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/28;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 杨梧
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 芯片 尺寸 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种芯片尺寸封装,其特征在于,包括:

上面形成凹部,在所述凹部的底面配置多个焊盘的半导体芯片;

一端连接在所述焊盘上的金属丝;

使所述金属丝的一部分露出地埋入凹部、表面与所述半导体芯片的表面形成同一平面的密封剂;

在自所述密封剂露出的金属丝上形成的凸起;及

置于所述凸起上的焊球。

2、如权利要求1所述的芯片尺寸封装,其特征在于,在所述凹部的底面安装绝缘盘,将金属丝的另一侧连接在所述绝缘盘上,所述金属丝的中间部自所述密封剂露出。

3、如权利要求2所述的芯片尺寸封装,其特征在于,所述绝缘盘包括:

粘接在所述半导体芯片的凹部底面、上面形成槽部的粘接层,及

电镀在所述粘接层的槽部内、连接所述金属丝的金属层。

4、如权利要求3所述的芯片尺寸封装,其特征在于,在所述金属层的表面上蒸镀金属薄膜。

5、如权利要求4所述的芯片尺寸封装,其特征在于,所述粘接层的材质为聚合物类的聚酰亚胺。

6、如权利要求4所述的芯片尺寸封装,其特征在于,所述金属层的材质为铝、铜、镍、金、银、钴或锡之一或由其中多个构成的合金。

7、如权利要求4所述的芯片尺寸封装,其特征在于,所述金属薄膜的材质为银、金或铬之一。

8、一种芯片尺寸封装,其特征在于,包括:

表面上配置多个焊盘和绝缘盘的半导体芯片;

连接所述绝缘盘和焊盘的金属丝;

安装在所述半导体芯片的表面上、形成所述金属丝自中间部引出的引出槽的罩;

在通过所述罩的引出槽露出的金属丝上形成的凸起;及

置于所述凸起上的焊球。

9、一种芯片尺寸封装的制造方法,其特征在于,包括:

在初期晶片的表面上形成凹部的步骤;

在所述凹部的底面上形成集成电路,构成半导体芯片的步骤;

在所述各凹部的底面上形成多个焊盘和绝缘盘的步骤;

用金属丝将所述焊盘和绝缘盘电连接,同时使所述金属丝的中间部自晶片表面突出的步骤;

以使所述金属丝的中间部露出的方式用密封剂埋入所述凹部内的步骤;

在自所述密封剂露出的金属丝的中间部形成凸起的步骤;

将所述晶片切断,分离成一个个半导体芯片的步骤;及

将焊球置于所述凸起上的步骤。

10、一种芯片尺寸封装的制造方法,其特征在于,包括:

在初期晶片的表面上形成集成电路,构成半导体芯片,在所述晶片整体的表面上蒸镀保护层的步骤;

在所述保护层形成凹部的步骤;

在所述各凹部的底面上形成多个焊盘和绝缘盘的步骤;

用金属丝将所述焊盘和绝缘盘电连接,同时使所述金属丝的中间部自晶片表面突出的步骤;

以使所述金属丝的中间部露出的方式用密封剂埋入所述凹部内的步骤;

在自所述密封剂露出的金属丝的中间部形成凸起的步骤;

将所述晶片切断,分离成一个个半导体芯片的步骤;及

将焊球置于所述凸起上的步骤。

11、一种芯片尺寸封装的制造方法,其特征在于,包括:

在初期晶片的表面上形成集成电路,构成半导体芯片,在所述晶片整体的表面上蒸镀保护层的步骤;

在所述保护层形成凹部的步骤;

在所述各凹部的底面上形成多个焊盘的步骤;

在所述晶片的表面上形成虚设焊盘的步骤;

用金属丝将所述虚设焊盘和焊盘电连接的步骤;

用密封剂埋入所述凹部内的步骤;

研磨所述密封剂的表面,除去所述虚设焊盘,使所述密封剂的表面与晶片的表面形成同一平面,同时使所述金属丝从密封剂露出的步骤;

在自所述密封剂露出的金属丝上形成凸起的步骤;

将所述晶片切断,分离成一个个半导体芯片的步骤;及

将焊球置于所述凸起上的步骤。

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